表面电子态相关论文
单层Cu2Si材料在理论预测中具有良好的自支撑稳定性和超导性质，具有成为拓扑材料的潜质，受到了实验科学家的广泛关注。Cu2Si层状材料......
碳60(又称巴基球,以下简写为C_(60))是1985年由美国科学家发现的碳元素的第三种同素异形体,其分子由60个碳原子组成,在常温下是一......
报道了金－多孔硅 稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发......
利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了ＣｄＴｅ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与......
研究—Ｈ，—Ｏ或—ＯＨ基吸附于表面的纳米硅集团电子结构的变化情况．选取了几种可能的吸附构型，用定域密度泛函（ＬＤＦ）集团模型数值自洽求解方法的......
我们受教育部派遣,于1979年10～11月赴美国考察有关表面物理方面的研究发展工作。首先我们参加了美国真空学会(AVS)第26届年会,然后......
给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的......
利用Scanning Tunneling Microscope(STM)和Scanning Tunneling Spectroscopy(STS)技术研究了La0.67Ca0.33MnO3(001)表面性质,研究......
采用化学还原法制备了负载型Ni－P／SiO2非晶态合金催化剂．应用ICP、BET、氢氧滴定法、XRD、SEM、XPS研究了上述催化剂在高温晶化过程中......
在有效质量近似理论下 ,采用有效垒高方法 ,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无限半导体超晶格中表面电子......
一、引言低能电子与固体表面之间的相互作用一直是表面科学中深受关注的基本课题,利用这些相互作用已发展了低能电子衍射、能量损......
以 In/InP(110)及 P/InP(110)表面模拟富 In及富P的InP表面,采用半经验的紧束缚方法计算了 In/InP(110)及 P/InP(110)表面的电子能......
具有原子显象能力的扫描隧道显微镜(STM,scanning tunneling microscopy),不仅能在原子尺度范围内显示定域的表面原子结构的象,而......
半导体光学元器件的飞速发展激发了大量有关硅表面及其吸附以及半导体界面光学性质的理论研究。从微观电子结构数据计算线性和非......
1986年,诺贝尔奖获得者 Binnig 及其同事 Smith 进一步发展了能工作于低温环境的扫描隧道显微镜,从而将扫描隧道显微学的研究工作......
我们在石墨和硅等衬底上自组生长出半金属材料锑(Sb)和铋(Bi)的一些纳米结构,包括厚度≤4nm的纳米带和薄膜.通过用原位STM分析这些......
会议
本文首次将Co-B/SiO非晶态催化剂应用于液相肉桂醛选择性加氢制备肉桂醇的反应.讨论了Co-B/SiO催化剂催化性能与其非晶态结构及表......
本文用溶胶-凝胶法制备了Pd/Ti,Fe/Ti,Zn/Ti,Co/Ti,Ni/Ti,Cr/Ti,Mo/Ti,Fe/Ti/Si,Si/Ti体系的二氧化钛复合微粒,以四环素降解为目标......
本文对铜的表面电子态与物性的第一性原理计算进行了研究。文章对Cu(100)、Cu(111)与Cu(110)表面进行了第一性原理的理论计算；研究......
染料敏化太阳电池(Dye-sensitized Solar Cells,以下简称DSC)是最有希望取代传统硅光电池的新型廉价化学电池.纳米晶体TiO薄膜是染......
IV-VI族半导体有多个方面的优异性能，PbTe、SnSe等是重要的热电材料，基于GeTe的Ge-Sb-Te相变合金是光存储的关键材料，铅盐PbS、PbSe、......
扫描隧道显微镜(STM)、原子力显微镜(AFM)及场离子显微镜(FIM)及其相关技术的发展,使人们能在原子级别上来进行物质表面的研究,可......
用第一性原理的总能计算研究了Cu(100))面的表面结构、弛豫以及氧原子的(√2×2√2)吸附状态.计算给出了Cu(100)(√2×2√2)R45°-......
根据密度泛函理论,采用广义密度近似,建立了水分子在SnO2(110)面不同吸附位的周期平板模型,研究了水分子在SnO2(110)表面的吸附特......
根据密度泛函理论,采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法,计算了SnO2氧化(110)面、还原(110)面的结构及电子特性,研究了O2以......
采用考虑 d电子相互作用的spd紧束有闪矿结构的半导体（CuCl的体能带，用形势散射理论方法计算了驰豫的CuCl(110)表面电子结构，给出了......
本文利用适应于Jellium/slab模型的薄膜LAPW基函数的多能量函数与微分并用的描述方法,计算了具有三层slab的Cs-W吸附系统的功函数,......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
本文利用自洽Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道线性组（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）方法，采用Ｓｌａｂ模型，研究了ＣｄＴｅ（１１１）两类模型四种表面的Ｈ吸附电子结构，系统分析比较了Ｈ吸附对四种表面电子结构的影响，为研究ＣｄＴｅ（１１１）表......
利用磁控溅射制备了Ag和SiO2分层结构,通过快速热处理,使Ag颗粒扩散到复合薄膜的表面附近.在实验中,通过改变每层Ag和SiO2的厚度,......
将量子围栏作为二维无限深势阱来处理,用定态Schrodinger方程求出其波函数,并对围栏中的表面电子状态进行了讨论,最后在这一理论模......
基于Ｐａｌａｓａｎｔｚａｓ的分形上高度－高度关联函数的近似富里叶变换Ｗ（ｋ），研究了电子态在分形表面上的局域化，发现电子态与表面粗糙有较强的耦合，而且局域化不......
本文借助于一种改进的薄膜LAPW（线性迭加平面法）的基函数描写方法以及薄膜jellium-slab模型计算了具有三层slab的C<sub>s</sub>-W吸......
根据密度泛函理论，采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法，计算了SnO2体结构，氧化（110）面，还原（110）面的结构及电子特性．计算结果发现，Sn......
利用形式散射理论方法，采用最近邻的紧束缚模型计算了ＩｎＳｂ弛豫表面的电子结构，给出了总体，局域，分波态密度和投影能带。通过分析其表面态的......
Ⅳ-Ⅵ族半导体有多个方面的优异性能,PbTe、SnSe等是重要的热电材料,基于GeTe的Ge-Sb-Te相变合金是光存储的关键材料,铅盐PbS、PbS......
