锗薄膜相关论文
以二氧化锗作为锗源，在水溶液体系中分别以固态和液态电极进行半导体锗薄膜的制备并对其进行分析。XRD和拉曼光谱显示在Cu板上制备......
硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器,而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电......
在硅基光子学中,由于锗材料在通信波段有响应并且可以与CMOS工艺兼容,高性能锗基光电探测器成为近年来的研究热点.然而,对于超薄锗......
能源危机、环境污染已经成为21世纪人类急需解决的重要问题,全世界各国都在积极推动能源结构转型,发展和利用清洁能源。太阳能由于......
相比于单结太阳电池而言,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池拓宽了太阳光的吸收光谱范围,在聚光条件下将太阳电池的光电转化效率提升至44.......
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很......
在半导体材料领域，锗(Ge)薄膜的低温生长引起了人们的广泛关注，主要是因为它们在大面积微电子、光电子和红外器件中的实际应用以及所......
金属Ge材料的制备研究近年来在国内外受到广泛关注,其中包括纳微尺度Ge粒子、纤维和薄膜材料。本论文通过研究六方晶型GeO2粉末与......
Ge薄膜由于具有优异的电学，光学性能，被成功的应用于非易失性存储器和光电器件方面.近年来，稀磁半导体由于在自旋电子器件中的应用吸......
圣迭戈加州大学以及德国的汉诺威大学和爱森大学的研究人员宣布，他们探测并监视了在激光照射下锗的非热型熔化。160 nm厚的锗薄膜产......
报导了用蒸发法制备半导体锗薄膜的工艺条件，薄膜的结晶特性，电学性质及其压阻应和热电效应。......
为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的......
为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶（AIC）法在（100）晶面单晶硅......
目前,以锗单晶为衬底的三结太阳能电池是空间电池的主流,但是锗是一种典型的稀散金属,资源稀缺,价格昂贵。且目前的切片技术所得锗......
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用１米掠入射光栅谱仪测量了在点聚焦和线聚焦两种打靶方式下，单脉冲或双脉冲驱动锗薄膜产生的等离子体ＸＵＶ光谱。并对测得结果进行了分析......
硅基硅锗材料因其优越的性能,特别是与成熟硅微电子工艺相兼容,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应......
