SNO2薄膜相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
硒化锑（Sb2Se3）具有带隙合适、吸收系数高和良性晶界等优点,是一种很有发展前景的光伏材料。经过近几年的发展,Sb2Se3太阳能电池的转......
SnO2 thin films with good orientation are prepared on a glass substrate by radio frequence (RF) reactive sputtering. The......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备SnO2薄膜, 通过对薄膜的不同处理方式(热处理和氨处理)所获得的SnO2薄膜的比较, 研究了氨处理SnO2薄......
二氧化锡（Sn O2）是一种n型宽禁带半导体材料,具有优异的化学稳定性和特定的光电性能,是一种常用的透明导电材料,在太阳能电池、平板......
近年来,钙钛矿太阳能电池因其迅速提高的光电转化效率受到广泛关注。有机-无机杂化钙钛矿材料吸光层具有高的吸光系数（105）、长的载......
薄膜晶体管（TFT）是下一代平板显示器（FPD）的关键部件。与传统的硅基半导体材料相比,以In2O3基（如InGaZnO（IGZO））为代表的透明金属氧化物半......
随着半导体行业的出现和发展,SnO2薄膜良好的光电性能受到人们的广泛关注,并逐渐形成以SnO2薄膜为基础的发光器件、大而积显示器、......
透明导电氧化物薄膜由于其电阻接近金属,在可见光范围内具有较高的透射率,在红外范围具有高反射率及半导体特性,在光电器件应用中......
二氧化锡(SnO_2)是一种宽带隙的金属氧化物。SnO_2 薄膜具有可见光透过性强、紫外吸收系数大、有一定红外反射能力、化学性能稳定......
二十一世纪被称为“纳米世纪”,纳米材料的制备、表征方法、性能及应用研究已成为当前新材料研究的重点。纳米结构材料的制备,模板......
为改善SnO_2气敏元件的敏感特性,本论文采用平面结构,利用溶胶-凝胶法和纳米薄膜的优点,制备掺杂Ag的SnO_2气敏薄膜,该体系气敏元......
采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。......
采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料，制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相，ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对......
采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方......
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0～ 40......
针对化学气相沉积法在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜,建立了计算模型,研究了SnO2薄膜的反射光谱性质,计算出相关的光学参数。结果表明:......
以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有......
用ANSYS仿真软件得到最优化的气体传感器电极结构，采用平面工艺在硅衬底上制作了3mm×2mm的直热式SnO2薄膜甲醛气敏元件。用溶......
利用溶胶-凝胶法配制了SnO2前驱溶液墨水,采用喷墨打印技术在金叉指氧化铝基片上制备了不同打印次数的SnO2气敏薄膜元件,通过XRD,S......
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜，并考察了Sb^3＋的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响，以及不同的处理方法对薄......
采用高温共烧陶瓷(HTCC)技术设计制备半导体气体传感器敏感芯体。敏感芯体分为两层结构:加热层和叉指电极层。运用磁控溅射技术在......
用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜,在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理,获得良好的纳米SnO2薄膜和......
简介了喷墨打印制备薄膜技术的优势与特点,配制了SnO2前驱溶液墨水,并利用该技术在金叉指氧化铝基片上喷镀SnO2前驱溶液墨水,而制......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示：薄膜晶粒呈球形，600℃......
用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结......
真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜（玻璃衬底）.研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Sb的SnO2薄膜。再经直流溅射制得掺Pt的Sb：SnO2薄膜,探讨了不同Pt添加量对气......
以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件......
采用SnCl4*5H2O为起始原料，无水乙醇为溶剂，SbCl3为掺杂剂，采用溶胶-凝胶法在玻璃基板上成功制得了SnO2薄膜，并通过XRD、SEM及薄膜光学......
将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电......
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题。通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜，研究......
利用自组装单层膜法，在单晶硅基底上生长有机硅烷单分子膜层，并在硅烷的功能性基团上，诱导生成二氧化锡纳米薄膜，通过XPS、AFM、SEM及X......
以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料，利用溶胶-凝胶法（sol—gel）制备了SnO2纳米薄膜。在溶胶中添加了多种添加剂，用X射线衍射仪（XRD）、扫......
采用R．F反应溅射法制备SnO2导电薄膜，用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明，随着衬底温度的增......
研究并设计了一种用于矿井瓦斯气体安全监测的气体传感器。传感器中气体敏感元件是利用溶胶-凝胶法在陶瓷管外表面制备的Fe^3＋搀杂S......
研制以ＳｎＯ２江膜作敏感材料的气敏比色皿，发现在可见光区透射率随被测气体浓度伯增大而增大，并解释敏感机理。......
通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜,并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究。XRD结果显示SnO2薄膜为多......
采用二步热氧化法制备SnO2薄膜。首先把真空蒸发法制备的金属锡膜在低于锡熔点的氧气气流中氧化半小时，然后提高氧化温度至400—550......
SnO2薄膜的成膜机制是研究其结构的一项重要内容,本文就射频反应溅射成膜过程中影响成膜质量的因素进行了讨论,给出了薄膜形成过程......
利用化学喷涂工艺在石英管材上制作SnO2薄膜，成膜时在石英管表面和SnO2薄膜的界面上形成Si扩散层，随着成膜时间、固化温度的改变，Si扩......
阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂Sn薄膜，对薄膜进行合适的氧化、热处理后获得Dy掺杂SnO2薄膜。用X射线衍射、场发射扫描......
以金属无机盐Sncl2·2H2O、Alcl3·6H2O、Cucl2·2H2O、Mncl2·4H2O和无水乙醇作为原始材料,运用溶胶-凝胶法在普......
以乙醇为溶剂采用溶胶-凝胶法制备出了Sb掺杂的SnO2复合透明导电薄膜,并利用XRD,SEM,紫外-可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法......
通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.......
