PZT薄膜相关论文
锆钛酸铅(PZT,Pb(ZrxTi1-x)O3)是信息功能陶瓷材料领域里重要的一类铁电压电材料,具有优异的压电性能和工艺稳定性。PZT薄膜能够实......
锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,简称为PZT)以其优良的介电性能、铁电性能、压电性能以及与半导体工艺良好的兼容性获得了人们的广泛重......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SrTiO3(STO)单晶衬底上成功地制备了不同组分x(x=0.03,0.30,0.53,0.80,0.97)和掺杂M(原子数分数为3%......
钙钛矿结构的材料因其具有压电性、铁电性、热释电性等物理特性而被广泛应用于各个领域。开展有关钙钛矿结构材料的微纳结构可控制......
自进入21世纪以来,随着微纳米加工技术的发展,微型器件大量涌现出来。随着各界学者研究的深入,利用压电材料进行能量采集的技术得......
近年来,铁电材料由于具有良好的压电、铁电和热释电性能,因此受到了广泛的关注。其中,锆钛酸铅[ Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3, PZT) ]作为......
微超声电机(Micro Ultrasonic Motor)是一种利用MEMS(Micro-ElectroMechanical Systems)技术设计制作的新型电机,具有体积小、响应......
铁电薄膜的制备、结构、电性能及其应用已成为国际上新材料研究的一个十分活跃的领域.铁电薄膜器件需要开发具有多元耦合效应的材......
PZT薄膜因其优异的介电、铁电和压电性能,成为制备MEMS传感器和驱动器的重要材料.以金属(特别是贱金属)作为PZT薄膜的基片,不仅降......
铁电材料、铁磁材料以及电磁复合材料都是十分重要的功能材料,在航空航天、人工智能、微机电系统、智能传感器等领域得到了广泛的......
近年来,铁电薄膜材料的制备、结构、性能和应用已经成为国际上新型材料研究的一个热点。由于铁电薄膜材料具有良好的压电、热释电......
阻尼材料广泛应用于航空、航天、采矿、建筑、机械等各个领域，在阻尼材料的发展和研究中，压电阻尼材料因具有新颖的能量损耗机制以及......
随着器件微型化、功能化、集成化的发展,单一组成的介电、铁电材料已无法满足现代生产生活需求,可以将具有不同性能的介电和铁电薄......
随着铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集成铁电学的出现，铁电薄膜材料的制备、结构、性能及其应用已经成为国际上新型材料研......
铁电存储器是一种以铁电薄膜作为存储材料的存储器件。铁电薄膜可以被外加电场极化,即使外加电场被除去,极化依然得以保持。在所有......
锆钛酸铅(Pb(Zr x Ti1-x)O3,0<x<1)是传统的铁电材料之一。由于其独特的铁电、热电以及压电等性能,基于铁电薄膜的器件一直受到人......
PZT薄膜因其优良的介电、铁电、热释电等性能,广泛的应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域,是作为铁电存储......
Pb(ZrxTil-x)O3(PZT)薄膜是一种钙钛矿型材料，其所具有的优越的压电性和热释电性已被广泛应用到射频声波滤波器、微电子机械系统和......
PbZrxTi1-xO3 (PZT)铁电薄膜因具有一系列优异的铁电、压电、热释电、以及介电性能和显著的电光、声光及非线性光学效应,被广泛用......
在过去的20年里,人们对Pb(Zr,Ti)O_3 (PZT)薄膜的铁电和压电性质做了广泛的研究。最近,人们发现PZT薄膜在光学传感和无线驱动等方......
通过sol-gel法在Si(111)基片上分别制备了LaNiO3(LNO)底电极和LaNiO3/La0.3Sr0.7TiO3(LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel方法,在两......
分别用m(Zr)/m(Ti)配比为30/70、53/47、70/30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜.比较......
期刊
分别用m(Zr)/m(Ti)配比为30/70、53/47、70/30的源材料及陶瓷块状靶和预烧粉末靶的形式,在Ag、Au、Pt衬底上溅射制取PZT薄膜.比较......
期刊
射频磁控溅射法室温下在Pt Ti SiO2 Si上制备非晶Pb(Zr0 4 8Ti0 52 )O3薄膜 ,非晶PZT薄膜分别经常规炉退火(CFA)处理和快速热退......
介绍了一种制备膜厚为数微米的均匀相和非均匀相(准周期性多层膜)铁电薄膜的有效方法,研究了 PZT 平面波导结构的光波导特性及准周......
通过对腐蚀溶液的优化,获得了一种刻蚀效果良好的锆钛酸铅(PZT)薄膜的腐蚀溶液配方。文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶!凝胶(sol-gel......
用改进的溶胶 -凝胶法在Pt(111) /Ti/SiO2 /Si(10 0 )衬底上制备了不同厚度的高度 (111)取向的Pb(Zr0 .53 Ti0 .4 7)O3 薄膜。运用......
利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了 (111)择优取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为 .铁电畴图像......
采用金属有机物热分解法(MOD)制备了2种不同膜厚,具有(001)择优的四方相PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜.分别用极图和XRD图谱估算......
综述了PZT薄膜的制备方法,从电极、微观结构和化学成分、生长方向、多层膜结构以及机械应力对性能的影响五个方面介绍了PZT薄膜的......
介绍了微光学自适应技术中基于PZT（PbZrxTi1-xO3）薄膜的微反射镜单元及其制作工艺。该制作过程中用重掺杂硅片作为基底和下电极，采用......
首次提出了使用溶胶-电雾化法在光纤表面制备PZT压电陶瓷薄膜，分析了光纤表面PZT压电陶瓷薄膜的成膜机理与特点，系统的研究了溶胶-电......
为了提高微牛顿量级微力传感器的灵敏度,比较了有PT种子层和无PT种子层的PZT压电薄膜对微力传感器性能的影响。运用Sol-Gel(溶胶-......
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了PZT薄膜,在600°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构.采用典型的半导体光刻工......
为了测量毫克级的微小力，设计并制造了一种硅基PZT薄膜悬臂式微力传感芯片。采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）方法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上成功制备......
采用溶胶-凝胶技术制备稀土Gd掺杂的PZT(PGZT)前驱体溶胶.以(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底,采用旋涂法和快速热处理技术制备PGZT......
文章综述了锆钛酸铅(PZT)薄膜的主要制备方法,其中包括射频磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法和金属有机化学气相沉积法。......
利用脉冲激光剥蚀技术在抛光的硅片上制备出了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，经过淀积后的激光退火工艺，大大改善了这种膜的铁电性，研究了影响薄膜性能的多......
利用压电陶瓷PZT的正反压电效应，将PZT薄膜同时作为驱动及传感材料，设计并制造了两种新颖的以IC兼容技术制作在硅片上的压电薄膜微型......
应用射频磁控溅射工艺在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧／氩......
在铁电存储器制备过程中,Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交......
采用改进的溶胶-凝胶（Sol-Gel）方法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备锆钛酸铅（PZT）纳米晶薄膜，研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸......
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀......
锆钛酸铅（PZT）薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统（MEMS）振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的......
采用溶胶-凝胶法（Sol-gel）制备了PZT压电薄膜，利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。针对微驱动器的关键结构驱动膜......
PZT薄膜的微图形化是制备基于PZT薄膜微传感器和微驱动器的关键技术之一.通过引入雾化技术,改进了传统的PZT薄膜湿法刻蚀方法,进一......
用溶胶-凝胶技术在Pt／Ti／SiO2／Si上制备了PZT薄膜，并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化，在结晶热处理前，利用PZT腐蚀液对P......
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度（100）择优取向的Gd掺杂PZT薄膜（简写为PGZT）;介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介......
