界面电学特性相关论文
用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖......
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe......
利用ＭＩＳ结构研究了长，中，短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其工艺条件的关系，结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面化学参数依赖于界面预处理......
介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导......
利用ＭＩＳ结构，在国内首次研究了新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合钝化膜与碲镉汞之间的界面电学特性。发现ＧｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜在适当工艺条件下，固定电荷密度为－４×１０＾１０ｃｍ＾－２，慢......
