NMOS晶体管相关论文
Different channel lengths and layouts on 0.18μm NMOS transistors are designed for investigating the dependence of short......
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探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性，研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总......
采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Co......
应用材料公司在AppliedCenturaRPEpi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应......
With a 45 nm process technique, the shrinking silicon feature size brings in a high-k/metal gate which significantly exa......
日本东芝与索尼公司日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力，面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上......
对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMO......
