PBTE相关论文
近年来,能源消耗日益严重,环境污染问题逐渐加剧,为了克服即将到来的能源危机,寻找具有可替代性的清洁能源具有重要意义。基于热能......
碲化铅(PbTe)因其窄带隙(0.32eV)、本征低热导率和高熔点的特性,成为一种良好的中温区热电材料。通过能带工程、纳米工程等优化策......
Ⅳ-Ⅵ族碲化物是指由Ⅳ族的Ge、Sn、Pb元素与Ⅵ族的Te构成的化合物,它们属于窄带隙半导体;Ⅱ-Ⅵ族碲化物则是指由Ⅱ族的Zn、Cd、Hg......
热能与电能相互转换的热电转换技术可以有效进行能源的二次利用,缓解能源短缺和环境污染的问题。热电器件的转换效率主要取决于材......
热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的功能材料,在温差发电和热电制冷等领域具有重要的应用价值和广泛的应用前景。PbT......
介绍了利用区熔法生长掺杂热电变换材料ＰｂＴｅ晶体，并对生长样品的杂质分布、热电特性进行了测量和分析。
The growth of PbTe crystals ......
中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬......
以Pb(CH3COO)2.3H2O和TeO2为原料,硼氢化钾为还原剂,在常压下,室温至70℃碱性水溶液中成功地制得了PbTe纳米粉末。粉末X射线衍射分......
利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘......
用第一性原理的密度泛函理论计算了PbTe(001)表面的几何结构和电子结构.计算结果表明:PbTe(001)表面不发生重构,但表面几层原子表......
热电材料可实现热能和电能的直接相互转化,因而备受关注。近年来,随着热电材料研究的持续深入,其制备技术也有了长足发展。高压技......
PbTe是一类发展较早的中温热电材料。其晶格结构简单,为面心立方的NaCl结构,晶格热导率较低（2.2 W/mK）,禁带宽度理想（0.32 eV）,熔点较......
重建古大气CO2浓度不仅能反映地质时期的古环境和古气候情况，还能为未来的气候变化提供一定的参考。利用植物叶片气孔频度（stomatalf......
以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe.在常温下对其热电性能的测试结果表明：掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克......
以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe.在常温下对其热电性能的测试结果表明：掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克......
主要研究了采用超高压方法制备的n型PbTe材料的性能.对不同超高压工艺条件的样品进行密度分析、抗弯强度分析,判断其机械强度;对样......
主要研究了采用超高压方法制备的n型PbTe材料的性能.对不同超高压工艺条件的样品进行密度分析、抗弯强度分析,判断其机械强度;对样......
采用电阻热蒸镀法，分别以不同的沉积温度在锗基底上制备了PbTe薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和红外光谱测试仪（System 20......
采用电阻热蒸镀法，分别以不同的沉积温度在锗基底上制备了PbTe薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和红外光谱测试仪（System 20......
摘要：采用机械合金化(MA)和放电等离子烧结(SPS)技术制备PbTe合金块体，采用XRD、TG-DTA和SEM对球磨过程中粉末、放电等离子烧结块体......
本论文主要研究了纳米PbTe材料高压下的热电性能。利用400t四柱双缸液压机和自组建的测量装置测量了纳米PbTe的电导率和热电动势随......
本论文采用高温高压合成技术制备了铅硫属化合物（PbSe、PbTe）热电材料,深入探究了合成压力、固溶化、元素掺杂对该体系热电材料电声......
依据Sn+离子注入PbTe形成Pb1-xSnxTe注入薄层中Sn的存在形式和结构特征, 构建起量子化学计算的计算模型.应用离散变分Xα量子化学......
PbTe具有极高的热电转化效率,本文以获得高质量、高转化效率的PbTe热电接头为目标.Pb的过量可以提高载流子浓度,进而提高PbTe的热......
利用高温高压技术，在3GPa、1200K的条件下，对PbTe进行了Bi2Te3的掺杂，并在室温下对其进行了电阻率、赛贝克系数、热导率的测试。结果......
太阳能热电器件利用半导体材料的Seebeck效应进行温差发电。热电器件结构简单、体积小、重量轻、无噪声、安全可靠寿命长,是一种理......
利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜．利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙......
近年来红外探测器、传感器在生产、生活中的作用越来越大,提高探测器、传感器的性能一直是人们努力的目标。本文中,我们以微纳材料......
本文综述PbTe材料及其薄膜的当前研究进展，并针对PbTe薄膜的不同制备方法及特点进行了探讨，得出了PbTe薄膜的化学组成、组织结构、形......
随工业化进程逐步加快,人们在享受生活便利的同时,也面临着日益严重的能源危机和环境问题,开发新型能源材料备受重视。热电材料可......
PbTe为Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体中的一员,具有直接跃迁和窄禁带等属性,室温带边发光位于中红外区域。与Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体相比,具有......
随着人类的社会发展,能源问题和环境问题日益突出。寻找新型清洁能源、提高能源使用效率刻不容缓。热电材料是一种能够直接实现电......
钙钛矿(perovskite)是一类具有钛酸钙晶体结构的物质,其化学式可用ABX3表示。其拥有优异的光电特性,如很高的吸收系数、适当的带隙......
Ⅳ-Ⅵ族半导体材料如PbSe和PbTe等具有许多独特的物理性质：窄的直接带隙(-0.3eV),对称的能带结构,重空穴带的缺失,以及低的俄歇复合......
Ⅳ-Ⅵ族半导体PbX (X=S,Se,Te)具有窄的直接带隙(常温下约0.3 eV),对称的能带结构,以及由重空穴带缺失导致的低俄歇复合率等本征特......
学位
以PbSe和PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙半导体材料具有一些独特的物理性质,如能带结构高度对称、重空穴带缺失,直接带隙位于布里渊区......
温差电材料是一种在固体状态下实现热能与电能相互转换的半导体功能材料，在工业余热回收利用方面具有重要应用价值。中温温差电材料......
在科学发展的历史上,物理学家在半导体异质结界面发现了许多新奇、重要的物理现象。Ⅳ-Ⅵ族碲化物半导体(PbTe、PbSe和SnTe等)有着......
分析了三元、四元和五元PbTe基合金中掺杂元素的选择原则及其对热电性能提升作用,并对PbTe基材料的制备方法进行了总结分析。PbTe......
热电材料是实现热能和电能直接转换的材料,可用于温差发电和通电制冷。Bi2Te3基化合物是室温性能最好的热电材料,PbTe基化合物是中......
PbTe(碲化铅)是一种新兴的化合物半导体材料,它以优良的特性而被用于许多高科技领域.作者用布里奇曼法以高纯的Te(99.9%)和经过5次......
PbTe作为应用在中温(500～900 K)段的块体热电材料,是最早被深入研究的半导体热电材料体系之一。最近,通过提高Seebeck系数和降低晶......
碲化铅（PbTe）是一种非常重要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙半导体化合物，其禁带宽度只有0.31eV，折射率高达5.5，具有独特的光学、电学和化学性能，在太阳......
利用不同掺杂剂PbI2,Al和Zr对制备热电材料n-PbTe载流子浓度的影响,采用单向固化法制备具有连续载流子浓度的功能梯度热电材料.测......
利用自建的400t四柱双缸液压机,研究了PbTe纳米晶在0～0.8GPa压力范围内热电性能随压力的变化。实验结果表明：PbTe纳米晶电导率随压力......
以高温高压为手段 ,在 4～ 5GPa压力和 70 0～ 1 2 0 0K温度条件下 ,成功地合成出了PbTe。对合成样品进行了X射线测试分析 ,结果表明 ,......
以Pb粉,Te粉和PbI2粉为原料,采用固相合成方法合成了掺杂PbI2（0.03,0.05,0.1,0.3at%）N型PbTe合金,XRD分析表明,合金具有NaCl型面心立......
