ZNMGO相关论文
近年来,紫外探测技术在火焰探测、导弹制导、保密通信等军民领域展现出巨大应用潜力。ZnO作为直接带隙宽禁带（3.37 eV）半导体材料,通......
低维纳米结构是当前纳米科学与技术领域一个重要的研究方向。纳米ZnO材料由于其在电予学、光学和光子学等领域的优异性能而倍受关......
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利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0.9Mg0.1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得......
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnMgO∶Ti透明导电薄膜。利用SEM、XRD、双光束紫外可见分光光度计和四探针法系统研究了靶......
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnMgO∶Ti透明导电薄膜。利用SEM、XRD、双光束紫外可见分光光度计和四探针法系统研究了靶......
ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用，已成为紫外探测器发展的一个重要方向，特别是Zn1-xMgxO基紫外探测器，可以探测日盲区......
ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用，已成为紫外探测器发展的一个重要方向，特别是Zn1-xMgxO基紫外探测器，可以探测日盲区......
利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构......
利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构......
用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上生长了一组Zn1-xMgxO（x=0～0．16）薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明，在薄膜的发射谱的......
用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上生长了一组Zn1-xMgxO（x=0～0．16）薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明，在薄膜的发射谱的......
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良......
首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原......
日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
ZnO 作为一种宽禁带半导体材料(3.3eV),其激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV 大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的......
ZnO是一种重要的宽带隙半导体氧化物材料。其较大的禁带宽度(3.37eV)和激子束缚能(60meV)以及较好的化学稳定性,使其成为制造光电......
ZnO化合物作为第三代宽禁带半导体,在宽带隙半导体发光器件领域具有重要的应用前景,从上世纪九十年代起,重新受到国际的高度关注。......
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长......
第三代半导体材料中的ZnO和GaN的禁带宽度都在3.4 eV左右，它们的发光波长在紫外波段，这个属性使得它们在半导体材料中处于不可取代的......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,是制备半导体发光器和半导体激光器的理......
近年来,宽禁带半导体材料ZnO及其三元化合物ZnMgO凭借其独特的光学、电学特性受到了研究人员的广泛关注,是当前光电子和光通信器件......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙（室温下3.37eV）,属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都......
制备高质量的ZnMgO以及ZnO/ZnMgO量子阱材料,提高其发光效率,对于实现ZnO基光电器件的应用有很重要的意义。近年来,表面等离激元作......
随着ZnO材料研究的深入，以及在深紫外区光电器件方面应用的不足，ZnMgO作为一种新兴光电材料走入了人们的视野。但同ZnO材料遇到的困......
本文采用PLD方法在多种基底上生长不同Mg含量ZnMgO三元合金薄膜,并制备出光导型紫外探测器原型器件。对于低Mg含量薄膜,综合考虑生......
