体单晶相关论文
回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法，以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提......
本文首先分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物由于其物理化学性质决定的晶体生长的难度及其需要解决的主要问题。进而结合Hg_(1-x)Cd_xTe、Hg_(1-x......
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范......
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长，是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
综述了ZnSe红外激光窗口材料的物理、机械性能及在二氧化碳激光器件中的应用状况,红外窗口用ZnSe多晶的制备方法及光电子器件用ZnS......
