列译码器相关论文
提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到......
本文描述一个只用5伏电源并且与TTL相容的两个4096位的MOS随机存储器,该存储器在最坏情况下读出时间为200ns,功耗为370mw。它可以......
本文介绍四种用于VLSI的冗余电路。其中,电气切断和激光切断是目前用得较多的两种方法,对它们的原理做了详细阐述。
This article......
在最近十多年中,MOS存储器大体上以一定的速度持续地向着大容量化的方向发展。对于动态存储器来说,在产品水平上从1970年的1K位迅......
本文首先介绍了EEPROM和IC卡的芯片,然后概述了2K位IC卡用的EEPROM集成电路的特点和基本功能,并对电路的各功能块、命令和时序作了......
64K动态随机存储器设计要考虑的几个主要问题是:(1)与16K产品的相容性;(2)提供足够强度的读出信号,(3)电流峰值与平均值降到最低;......
本文将介绍一种256k字×1位,存取时间为100nS的动态RAM,这种RAM是通过分辩其内部CAS预充电时间差以页面型和半字节型工作。另外,......
本章将描述用单层多晶硅或双层多晶硅,低阻多层互连及2微米工艺技术制造的256k×1动态RAM,也将讨论容错技术,半字节模式和超前于R......
