电子隧穿相关论文
基于电化学发光的生物标记物检测已得到了飞速的发展,然而绝大多数的检测需固定识别基团,这依赖于电极表面的层层化学修饰,不但难......
学位
作为基础的电子元器件,隧道结的发现在理论和实验上均有极其重要价值。隧道结以量子力学中的隧道效应为工作原理,在超导电子学、自......
自1997年Reed等人先驱性的工作以来,金-1,4苯二硫醇分子-金分子器件一直是实验和理论工作中广泛研究的对象.在过去的十几年中,不同......
会议
采用自组装(SA)技术制备了正十二硫醇的SA 单分子层膜.应用电化学交流阻抗及循环伏安技术研究了12 硫醇SA 单分子层膜在K3Fe(CN)6/......
采用粉末包覆sol-gel方法制备了LaSrMnO(LSMO)/CoFeO(CF)复合体系,通过XRD和SEM可以清晰地辨明两相的存在,实验数据表明CF复合以后......
基于近自由电子模型，用双带模型研究了在有限外加电压下铁磁金属叫卜磁绝缘体（半导体y铁磁金属（FM/l(S)/FM 隧道结自旋极化电子隧穿的......
本学位论文主要研究光子扫描隧道显微镜（PSTM）探针的研制和PSTM探针在distearyl3，3’-thiodipropionate自组装分子膜STM研究中的应用......
超巨磁电阻(CMR)材料是国际上研究的热点之一。由于其在不同温度下复杂的物理现象以及在磁场下特有的磁电阻变化，因此无论是其理论......
单电子器件以其尺寸小、功耗低和速度快等特点，吸引了国内外大量的研究目光。而由两个纳米隧道结串联而成的单电子晶体管(SET)是至......
碳化硅（SiC）MOS（金属-氧化物-半导体）功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时，根据高斯定理......
纳米电子学是纳米科技的重要科学基础，将成为21世纪信息时代的科学核心。纳米电子学的重要研究内容包括纳米结构的加工制造技术和具......
本文详尽研究AlxGa1-xAs材料构成的双势垒抛物量子阱中的电子隧穿问题，详细讨论了外加电磁场和电-声子相互作用对电子隧穿的影响，讨......
FM/FI(S)/FM是一种新型的磁性隧道结(FM-很厚的铁磁金属层,代表铁磁性电极;FI(S)-铁磁绝缘体(或半导体),其中的电子输运过程取决于......
三维方向限制电子的运动在纳米尺度内便产生了量子点。人们已经提出量子点能够构造一些基本的量子器件，包括固态量子计算机的组件。......
本文首先研究了量子力学中处理粒子隧穿势垒问题的基本方法，发现在极少数情况下，简单势垒的量子隧穿的几率可以被严格求解。但大部分......
近年来，利用单分子组装电子器件引起了人们极大的兴趣。随着实验手段的不断进步和人们对分子器件电输运理论的深入研究，在单分子器件......
本论文研究了电子隧穿一维相互作用量子线中双势垒的干涉效应。一维相互作用量子线可用Tomonaga-Luttinger液体来描述。通过精确的......
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
介绍了一种新型的微机械电子隧穿加速度计．利用体硅微机械加工工艺和硅/玻璃静电键合技术成功研制出了一种三明治结构的隧穿加速度......
Electron Tunneling from the 〈100〉 and 〈111〉 Oriented Si into the Ultrathin Rapid Thermal Nitrided Si
用卤素-钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)，在〈100〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了SiSiOxNyAl电容，并测量了由低场到FN隧穿电场范围的电......
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研......
建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式. 通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度......
建立了electron-phonon-field(EPF)电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的交流电导公式.通过计算具有20000-65000个格点的无序......
利用传递矩阵方法,在同时考虑自旋轨道耦合效应和量子尺寸效应情况下,分别计算了没有外场、外加磁场、电场时,透射概率的变化关系.......
基于自由电子模型，我们研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从我们的结论可以定性地解释有关的......
近日，德国马克斯—玻恩非线性光学与短脉冲光谱学研究所（MBI）的研究人员与国际伙伴一起研发了一个试验装置，首次可以准确确定电子从隧......
对光照下CdS量子点与金电极之间的光生电子交换过程进行了系统研究.首先,对基于电子隧穿的多个光生电子转移过程进行了理论分析,并......
介绍了一种新型的微机械电子隧穿加速度计，利用体硅微机械加工工艺和硅／玻璃静电键合技术成功研制出了一种三明治结构的隧穿加速度计......
用卤素－钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN），在＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上制备了Si-SiOxNyAl电容，并测量了由低场到F－N隧穿电场范围的电子从N型Si......
为定性了解纳米电磁输运特性，发展了一种基于量子理论求解电子通过纳米电磁结构输运特性的转移矩阵的方法，计算了电子隧穿纳米结构电......
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN）10nmSiO2膜，制备了＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上的Si-SiOxNy－Al电容结构，研究了电子从＜100＞和＜111＞不同晶向N......
研究了耦和电子波导间的电子隧穿，结果表明隧穿电导随波导宽度振荡，与已发表的实验结果相符。文中详细分析了电子的输运性质，并对量子......
对于宇宙微波背景辐射各向异性的探测来说，为了达到分辨率优于10^-6的要求，必须将星载薄膜光子敏感器冷却到0．1K以下的低温．同时，由于是......
利用一个开放的多端Aharonov-Bohm (AB) 装置研究了存在点内库仑作用时, 电子通过量子点时的相干性. 作者发现点内库仑作用不会引......
运用求解任意势中波函数与转移矩阵相结合的方法,计算得到流体静压下应变ZnCdSe/ZnSe双势垒电子隧穿的共振能级、波函数和透射系数......
本文用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子隧穿效应。结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比，电子隧穿非双......
在Ｎ－Ｓｉ（１００）衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构，研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系，研究结果表明，在较低......
文章对电子透射几率问题进行了数值求解,这种方法能够处理形状复杂的一维势垒.首先利用龙格-库塔法和Numerov方法,联立求解薛定谔......
研究了电子的自旋相关的隧穿和极化。在外加磁场的作用下，自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数。当电子的自旋方向与......
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成.样品在N2......
