衬底材料相关论文
当前，硅基柔性薄膜晶体管（TFT）的技术应用比较广泛，基于氧化物的柔性薄膜晶体管（TFT）技术也正在快速发展。有机电致发光层（OLED）是柔性器件......
在La Al O3（001）单晶基片上,利用磁控溅射＆脉冲激光共沉积系统制备了800 nm厚的Ce O2:Ba0.6Sr0.4Ti O3（BST）复合薄膜。采用光刻技术、剥......
学位
利用时域有限差分法对不同材料和厚度衬底上矩形孔金属结构太赫兹（THz）波的透射特性进行了数值分析。研究表明：矩形孔金属阵列对THz光......
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜（PI）衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZnO∶Al）。系统地研究了不同......
据日本媒体Nihon Keizai Shimbun报道,日本有色金属制造商Dowa Min- ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa......
同济大学材料科学与工程学院教授黄佳、美国马里兰大学材料科学与工程系教授Hu Liangbing等共同开发出全透明可弯曲纳米纸晶体管。......
楔条形位敏阳极属于电荷分割型阳极,其在光子计数成像探测器中的作用是对光子事件进行位置解码,阳极性能参数对探测器的成像性能有......
质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面......
<正> 众所周知,硅具有一系列的特性,使之成为很有吸引力的半导体材料。主要的理由是资源丰富,二氧化硅在地壳中占28％,这就使硅材料......
有机电致发光显示(OLED)具有主动发光、功耗低、视角宽、发光亮度大、全固态、可实现柔性显示等诸多优点,已成为下新一代平板显示......
性能良好的GaAs 衬底材料是研制大功率半导体激光器的必备条件之一。特别是随着激光器器件制作水平的提高，激光器阵列越做越大，这就......
碳材料来源广泛且成本低廉，其独特的物理化学性能正逐渐被人类所发现、认知并应用。氧化石墨烯作为新型碳材料的杰出代表因其出众的......
本文探讨了衬底材料掺杂浓度、陷阱浓度、外界入射脉冲光及外加电压等因素对不同尺寸的光导开关的工作特性的影响,具体分析了其机......
阐述建筑防水密封材料施工所需的附属材料,底层涂料的作用与性能要求,衬底材料的作用与接缝粘结方式,防水密封施工过程所要求的环......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制......
为了制备单晶Ni衬底,将大约100nm厚的牺牲外延铜层电沉积在单晶镍基极层上,然后再沉积一个10￣50μm的外延镍层,利用选择性的腐蚀去
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1 试验目的 通过不同衬底材料无纺布覆盖旱育秧对比试验，深入了解和掌握不同条件下无纺布覆盖旱育秧的秧苗质量差异，为指导无纺布......
利用自制高能等离子体辅助化学气相沉积设备在1Cr18Ni9Ti衬底上,在离子能量2keV、工作压力2Pa、工作气氛为CH4/H2=10%的工艺条件下......
深圳市已设立深圳国家半导体照明工程产业化基地联席会议,积极推进LED产业发展.目前,基本形成衬底材料--外延片-芯片-封装-应用相......
以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行......
LED产业链包括上游的外延片制造、中游的芯片制备、下游的封装、测试及照明显示应用等环节。外延片处于LED产业链中的上游环节,包......
为加快贵阳国家高新区战略性新兴产业集聚发展,结合我区实际,就促进光电产业发展,制定如下优惠政策.rn第一章对象和范围rn第一条支......
研究了金刚石薄膜在 Ｗ Ｃ６ ％ Ｃｏ 硬质合金、金属 Ｗ 和单晶 Ｓｉ 片上的成核特点。实验结果表明，金刚石薄膜在上述衬底材料上的成核特点和成核......
采用微波等离子体化学气相沉积法,分别在Si、Ti、Mo、Nb、Ta衬底表面沉积多晶金刚石膜,系统探究金刚石膜在不同衬底材料表面的生长......
提出了以半导体硅材料作为光纤Bragg光栅(FBG)衬底的FBG压力传感密封型结构,并对其压力传感特性进行了研究,结果表明:FBG的中心反......
ZnO是一种传统的多功能材料.近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点.本文从纳米ZnO、GaN......
晶体硅薄膜太阳电池(CSiTF-Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells)由于具有降低制造成本的空间,成为目前研究工作的一个热点......
利用直流辉光等离子体化学气相沉积金刚石的装置,研究了衬底材料以及表面状态对金刚石薄膜成核密度的影响,结果表明金刚石薄膜的成......
文章研究了用来作为多晶硅薄膜太阳电池衬底的陶瓷硅材料的制备方法及其结构.对不同烧结条件制备的样品进行了XRD和SEM的测试和分......
讨论了化学气相沉积金刚石薄膜的各种衬底材料.气相合成金刚石衬底材料分为3类,第一类是能和碳形成碳化物的衬底;第2类是与碳不起......
GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEM......
在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si〈111〉基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌......
天津赛法晶片技术有限公司处在半导体照明产业链的起始环节——衬底材料的生产（晶片加工），是目前国内唯一的蓝宝石晶片生产厂家。......
据有关媒体报道，由贵阳市工投公司年产与元亮科技有限公司合作建设年产2500万片LED衬底材料一期项目目前通过专家评审，并将于近期动......
离子注入能够精确地控制能量和剂量,能够注入几乎所有的元素,甚至同位素,而且注入离子形成的纳米晶粒镶嵌在衬底里,使得形成的纳米......
随着光刻机技术的发展,特征线宽尺寸减少到纳米级,对光刻机对准系统提出了更高的对准精度的性能指标。对准系统是光刻机最精密复杂......
前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始......
研究了温度梯度法生长的γ-LiAlO2晶体在1 100℃不同气氛处理的热稳定性.借助扫描电子显微镜和X射线衍射分析发现:1100℃/10 h真空......
通过改变制备NiO薄膜的氩气压和衬底材料,研究了NiO的结构、表面粗糙度对NiO/CoFe双层膜交换耦合场Hex的影响.实验表明完全自旋未......
早期的运动在一根无底的拱门水道电缆和矩形的斜槽为四石子底层材料被调查。为在在本地流动参数之上基于的早期的运动(c) 的精明的......
简要叙述了MgB2的发展和制备历史,通过对不同衬底材料上MgB2的反应情况的总结概括以及对不同衬底材料和MgB2的晶体结构和晶格常量......
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了......
SrTiO3双晶基片是高温超导电子学研究中外延YBCO薄膜所需要的基础材料；是制作高温超导量子干涉器件（SQUID）的核心。由于其特殊的制造......
为了探究TiO2薄膜在不同衬底材料上的光学特性和激光损伤阈值,以高阻硅、熔石英和k9玻璃为衬底材料,采用真空热蒸发方法制备TiO2薄......
碳化硅衬底材料在民用和军用领域都具有极其重要的地位和巨大的市场需求,是电子信息时代不可替代的新型材料。2016年碳化硅电力电......
