双栅相关论文
恶性肿瘤严重影响着人类的健康,肿瘤的发病率也呈现逐年上升的趋势,肿瘤的早期诊断和治疗在很大程度上决定了肿瘤的预后。现有的肿......
提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚......
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket......
目的:恶性肿瘤是当今威胁人类健康的主要因素之一,早期诊断和及时治疗可以明显提高患者术后的生存质量和五年生存率。因此,肿瘤标......
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅......
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅......
首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需......
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式......
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟......
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒......
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表......
对Kaufman离子推力器的离子光学引出系统的制造技术,开展了试验研究。通过研究,掌握了离子光学引出系统主要工作特点和定位要求;确......
构建了以双壁碳纳米管为导电通道、Al2O3和SiO2为绝缘层、Al和Si为栅极、Pd为源和漏电极的双底栅场效应晶体管，测量了晶体管的特性......
随着多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFTs)制造工艺简单、成本低廉,且具有较好的电学特性,在有源液晶显示器、三维立体集成电路、大容量存储......
目前,在智能系统的集成电路设计及其器件制备技术领域,计算机模拟已成为不可缺少的工具,可用于帮助工程设计者预测电路与器件工作......
高性能氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)广泛地应用在以AMOLED为代表的大面积平板显示领域,是相关产业的底层共性技术与核心技术......
基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进......
无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松......
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当......
与传统的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)相比,耗尽型非晶铟锌氧化物薄膜晶体管(a-IZO TFT)具有高载流子迁移率......
随着晶体管尺寸的缩小,集成电路制造业的光刻技术正面临更大的挑战,CMOS工艺正在接近其物理极限,而陷于目前电路仍大都使用了CMOS......
多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器、3D立体集成电路和静态RAM等领域有着广泛的应用。然而,随着器件沟道尺寸的进一步缩小,器......
集成电路自发明以来,其尺寸一直遵循摩尔定律等比例减小。然而,随着技术的发展,晶体管尺寸减小到纳米级别,也遇到了许多新的问题。......
由于可以通过简单的工艺实现,薄膜晶体管自诞生以来就受到了广泛关注,有机薄膜晶体管更是由于其材料的易合成、环境友好、可制造成......
应变硅技术通过在MOSFET器件的沟道中引入应力来提高载流子的迁移率,从而提升器件的性能,而且应变硅技术以体Si CMOS工艺为基础,不......
应变Si/SiGe技术以其高载流子迁移率等优异特性受到广泛关注,但当前报道的应变沟道器件仍存在一些问题亟待解决,主要归结为以下几......
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴......
