失配位错相关论文
缺陷存在于广泛的材料家族中,其中不乏有二维异质结材料。当两种晶格失配度较大的材料形成异质结时,界面区域会出现失配位错以释放......
结构决定功能。材料通常存在缺陷,而位错作为一种线缺陷会大量存在于晶体材料内部,人们可以借助于透射电子显微镜观察到位错在材料......
失配位错是薄膜科学研究的重点内容之一，其主要形成于原子沉积生长过程中，现有的实验分析手段的空间和时间分辨能力都无法达到对原子......
该文的研究工作由以下两部分内容组成:一、研究了使用分子束外延(MBE)方法,在微米量级窗口中局域外延生长的SiGe/Si异质结材料的应......
基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论,研究了生长方向分别为[111]和[211]晶向,HgCdTe外延薄膜临界厚......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模......
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界......
简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值....
Cu／Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束．该交变应力场主要包括两部分：在共格界面处由于剪切模量差而导......
运用分子动力学方法对面心立方（FCC）晶体铝外延膜的高温弛豫过程进行了三维计算机模拟。铝原子间的相互作用势采用嵌入原子法（EAM）多体......
本文运用分子动力学模拟方法,详细研究了单个入射原子对外延铝簿膜中失配位错的诱发作用。模拟结果显示：入射动能足够大的单原子对......
用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响，采用的原子间相互作用势是嵌入原子法（EAM）多体......
用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°，而且朝［1-1-1］晶体......
为了研究失配应变的弛豫机理，利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD)Si／SiGe—OI材料横截面的完整形貌和不同层......
用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了取向关系相同的两种不同界面.并运用近重位点阵模型对其界面......
本文运用分子动力学模拟方法，研究了在外延铝簿膜中单个入射原子动能对失配位错成核时原子团挤出的影响。模拟结果显示：当沉积原子动......
本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度......
利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.......
运用分子动力学方法模拟研究了沉积原子的不同落点对外延铝薄膜中失配位错的诱发作用。铝原子间相互作用势为嵌入原子法（EAM）多体势......
运用分子动力学方法模拟了Cu／Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律，探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律．结果表明......
探索位错等缺陷对于铁电材料畴结构、铁电性、电导率等其他物理属性的影响对于研究铁电薄膜材料的铁电及压电机理有着至关重要的作......
为了研究压头晶体各向异性对纳米压痕的影响,采用多尺度准连续介质（QC）法模拟了不同晶向Ni压头与Ag薄膜的纳米压痕过程。通过对比不......
薄膜晶体缺陷主要形成于原子沉积生长过程中，已有实验分析手段的空间和时间分辨能力都无法达到对原子尺度微观过程的研究，而基于分子......
三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从G......
通过对Cu/Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响.结果表明,失配位错网对滑移位错的阻......
以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适......
过渡金属碳化物(Transition metal carbide, TMC)具有如高熔点、高硬度、防腐蚀性和极强的化学稳定性等特点被广泛用于工程材料中......
纳米材料由于其优越的物理、力学性能得到了科技领域高度的重视和广泛的应用。当复合材料微结构尺寸达到纳米级时，由于强烈的界面效......
本论文主要利用高分辨透射电子显微学对零维锗纳米晶、一维氧化铁纳米线、二维锰氧化物外延薄膜的微观结构以及物理性能进行详细研......
p/p+硅外延片是一类重要的硅材料,目前,p/p+硅外延片主要在以CMOS工艺为代表的超大规模集成电路和大功率器件中应用。由于轻掺硼硅......
在（001）LaAlO3上生长钙钛矿型Ba0.3Sr0.7TiO3外延薄膜近界面层，用HRTEM观察到多种新型的分解失配位错，其中两种较复杂的分解失配位错已......
纳米尺度的金属多层膜在屈服应力、塑性、抗腐蚀性能等方面具有特殊的性能。目前它已被广泛应用于航空航天、机械制造、电子技术、......
纳米材料由于其特殊的力学性能引起了人们的广泛关注,例如高的强度、硬度、耐磨性、延展性以及低温超塑性等。纳米材料之所以表现......
多层膜材料具有整体材料和任何单一组分薄膜难以达到的各种特殊性能,能满足各种特殊应用需求,近年来这方面的研究引起了人们的极大......
运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体......
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)......
随着对Si基半导体器件速度和功率要求的不断提高,使用应变方法进行人工能带剪裁的技术显得越来越重要。在Si基体与外延的Si1-xGex......
Ⅲ-Ⅴ族化合物InxGa1-xAs,作为半导体材料,其截止波长随In组分含量的变化而变化,变化范围为0.87~3.5μm。InP是常见的生长InxGa1-x......
外延生长过程中外延层与基底点阵错配、失配位错、界面形态对晶体外延生长的质量有重要的影响。在外延层薄膜演化过程的特征由微观......
用几何相位分析（geometric phasean alysis，GPA）方法研究了AlSb／GaAs畀质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择......
期刊
三元化合物InxGa1-xAs作为第二代半导体材料的代表,以其优异的光学和电学性能成为当今重要的光电子和电子器件的基础材料之一。Inx......
学位
