量子化效应相关论文
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方......
介绍了适用于描述深亚微米半导体器件中能量量子化效应的2维密度梯度量子-漂移扩散模型，对深亚微米n型金属半导体场效应管(nMOS......
低温ＭＯＳ器件因为其固有的高迁移率和优越的亚阈区特性而受到人们的重视。量子化效应对ＭＯＳＦＥＴ反型层载流子浓度和开启电压等特性会产生显著影......
随着MOSFET的不断缩小特征尺寸逐渐逼进其物理极限,器件尺寸的进一步缩小面临一系列的困难.为了解决这些面临的问题,一个重要的手......
随着集成电路技术的发展,器件尺寸不断减小,为半导体器件建立精确的模型以模拟器件特性对微电子技术的发展是一件非常重要的工作.......
随着集成电路工艺技术的进步，CMOS器件的沟道长度逐渐缩短。各种小尺寸效应包括短沟道效应(SCE)、量子化效应(QE)对器件的影响越来......
该论文研究了晶格匹配型GaAs/AlGaAs超晶格量子阱电极的光电化学行为.在设计生长了几种适于光电化学研究的超晶格量子阱电极的基础......
Ginzburg-Landau方程是在工程和物理中的各类模式构成系统的一个简化的数学模型．它可用来描述许多在连续相变理论中出现的各种统计......
从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface laye......
用传输矩阵法研究一维光子晶体（AB）m（BACAB）n（BA）m的透射谱，研究发现：在双正介质和含双负介质情况下，归一化频率1．0ω0／ω处光子晶体（BACAB）n的......
从载流子在ＭＯＳ结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发，提出了经典的和量子化的表面有效态密度（ＳＬＥＤＯＳ：Ｓｕｒｆａｃｅ ｌａｙｅｒ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｄｅｎｓｉｔｙ－ｏｆ－ｓｔａｔｅｓ）的概念。利用表面有效态......
评论了纳米电子学的沿革路程，介绍了纳米电子学的研究内容，并预测了它的发展趋势。进而指出，纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量......
夫兰克-赫兹实验是物理学史上具有重要地位的物理实验之一.由于夫兰克-赫兹管受温度、拒斥电压、灯丝电压等因素的影响,使实验过程......
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程，应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自......
【正】历史上对微观粒子的认识是逐步深化的,量子化的概念最早是由普朗克在1900年研究黑体辐射提出的。他在1900年12月提出了一个......
1980年6月在西德召开的国际精密电磁测量会议上，西德的克里岑（K．Von．Kli—tzing）教授提出一种新的量子效应：金属一氧化物一牛导体场效应......
半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文......
通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程，应用费米统计建立了ＭＯＳＦＥＴ亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型，并从器件开启的实质出发，提出了一......
氢同位素气体中的两种重氢(D2、T2)在很多领域有着重要用途,是非常有用的资源。目前,氘气(D2)、氚气(T2)这两种气体主要是通过分离......
SOI(silicon On Insulator,绝缘体上硅)技术从20世纪60年代开始受到关注,80年代以后又有了较大的发展,90年代后期进入部分商用领域......
