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以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线......
六方晶系结构的ZnO是一种重要的宽禁带氧化物半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,并且具有较大的激子束缚能（60meV）,容易与其他类型......
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子......
期刊
利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积得到了(110)择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜.利......
以二水合醋酸锌为原材料，采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有C轴择优取向的ZnO：Al薄膜，考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与......
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SM......
MFI沸石晶形及其形态的调控一直都是分子筛研究的重要方面。本文主要综述了单晶分子筛、纳米分子筛、核壳结构分子筛以及特殊取向......
