汽相外延相关论文
本文报道在高水汽压(≈4.1×10~(-5)大气压)、低沉积温度(650℃)下,Ga/AsCl_3/H_2汽相外延系统生长的高纯外延层的实测电参数及其......
引言砷化镓是重要的半导体材料,最近几年发展很快。为了加速我国电子工业的发展,早日实现四个现代化,对砷化镓的现状进行综合讨论......
采用金属有机化合物汽相外延法 (MOVPE)和多层膜互扩散生长工艺 (IMP)在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(2 11)薄膜样......
工作于3μm～5μm大气窗口的焦平面列阵具有许多军事和民间应用,如前视红外、导弹制导、无损材料测试以及肿瘤检查等.用离子注入技术......
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分......
