沉积气压相关论文
采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下......
MgO薄膜作为理想的保护层材料已经广泛应用于等离子显示技术中，其具有抗溅射、高的真空二次电子发射系数、可见光区透过率高等特点......
本文以提高微晶硅的沉积速率为目标,在研究了单一沉积参数对微晶硅薄膜沉积速率影响的基础上,主要研究了采用甚高频(75MHz)化学气......
采用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃衬底上,通过调节真空室气压和热处理温度制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜吸收层和硫化镉(CdS)薄膜缓冲层。......
研究了微波化学气相沉积中沉积气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响.研究表明,金刚石薄膜的生长速率随沉积气压的提高而增大,生......
用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比（V（Ar）：V（O2），体积比）下制备铟锡氧化物（ITO）薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率，得到不同沉积气压和V......
采用磁控溅射方法制备W—S—C复合薄膜，研究沉积气压对薄膜结构和摩擦学性能的影响。结果表明，复合膜以非晶或纳米晶结构生长，沉积气......
采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶Si衬底上制备AlN薄膜．利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（xRD）对薄膜的形貌和微观结构进行了分析；采......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）,在玻璃和硅衬底上以230—310Pa之间的沉积气压生长微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼光谱......
期刊
通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层......
在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(|||)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件......
随着导弹等快速进攻性武器的发展，对雷达的功能提出了许多新的要求。采用机械扫描方式的天线已很难适应新的作战要求。自上世纪50年......
