GAN材料相关论文
InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......
第五代移动通信技术(5G)已经逐渐应用到各个国家和多种技术领域当中,它极大的优化了我们的工作和生活方式并为社会带来了无限的可......
GaN基高电子迁移率晶体管在高温、高频率和高功率电子工业应用方面表现出了巨大的潜力，引起各国研究机构和公司的关注，并且目前已经......
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......
GaN材料由于具有带隙宽、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等优秀的材料特性,使GaN基器件在耐压和微波领域成为了研究热点。为......
GaN材料基于其优异的特性,得到了全世界科研人员的广泛关注,使得其在发光器件、传感器、高温高频大功率器件、场发射等方面都获得......
GaN材料物理性质化学性质非常稳定，并具有很高的饱和电子漂移速度，高击穿场强，高热导率等制备器件所必须的优良特性。所以在制造蓝光，......
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布.采用波长248 nm的......
近年AIGalnP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色，包括红、橙、黄、绿、蓝，目前其发光效率......
采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN......
介绍了集散控制MOCVD系统的研究和应用.该设备是生长半导体材料GaN的关键设备.文中重点探讨了用PLC实现该设备的控制系统,并给出了......
介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用......
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2—5μm厚度的P-AlxGa1-xN／GaN层（0〈x≤0．4），在AlxGa1-x划层中的Al浓度为0．2〈x......
通过实例介绍运用高分辨X射线衍射分析技术对GaN异质外延薄膜材料的微结构进行研究，希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模......
GaN因其优异的光电性质和广泛的应用前景成为半导体的核心材料。氢化物气相外延(HVPE)方法因其超高的生长速率成为目前工业化生产......
石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为......
第三代半导体氮化镓(GaN)及其多元合金材料,具有优异的光学性能和电学性能,在新型短波长光电子器件和高温、高功率、高速微电子器......
介绍了星载微波功率放大器在国内外发展的现状,分析了当前国外微波功率放大器特点及实现方式,总结了国外星载微波功率放大器技术应......
