脉冲偏压相关论文
等离子渗氮技术作为表面改性技术被广泛应用于材料表面改性领域。316L奥氏体不锈钢及M2高速钢均在各自的应用领域发挥着至关重要的......
基体沉积温度是离子镀工艺中影响薄膜性能和限制可镀基体范围的最重要参数之一。与传统的以直流负偏压为基础的电弧离子镀(direct ......
本文对脉冲偏压电弧离子镀(TiMe)N多元复合硬质薄膜进行了研究,选用电负性与Ti元素存在不同程度差异的过渡金属Nb、Cr、Zr作为添加......
多弧离子镀是物理气相沉积中最常用的技术之一，具有高离化率、高沉积率的特点，因此成为现代高端机械加工业应用最广泛的表面强化手段......
多弧离子镀是利用阴极电弧放电蒸发源的一种离子镀技术,具有离化率高、离子能量高、沉积速率快、膜层性能好等优点。但是由于阴极......
学位
该文改进和完善了脉冲偏压电弧离子镀的大颗粒净化的理论模型,系统研究了脉冲偏压作用下的等离子体鞘层的物理特性和大颗粒在鞘层......
MgO薄膜作为理想的保护层材料已经广泛应用于等离子显示技术中，其具有抗溅射、高的真空二次电子发射系数、可见光区透过率高等特点......
脉冲偏压真空电弧离子镀技术具有瞬间能量密度高、平均能量密度低的特点，与传统的直流偏压技术相比，不仅在低温下可制备致密的薄膜，还......
用扫描电子显微镜观察了电弧离子镀中各种不同偏压模式 :不加偏压、加不同直流偏压和加幅值相同但占空比不同的脉冲偏压情况下获得......
利用脉冲偏压磁过滤电弧离子镀在高速钢(M2)基底上沉积了厚约2.5μm的TiN薄膜;分别采用FESEM、GDOES、XRD和划痕试验法观察薄膜表......
脉冲偏压电弧离子镀的成膜过程远离热力学平衡态,与直流偏压电弧离子镀相比,具有成膜温度低、薄膜质量好和应力低等优点.从大颗粒......
由于直流偏压方法沉积金刚石薄膜易出现电荷积聚现象,从而影响了薄膜的均匀性.本文采用脉冲负偏压增强热丝化学气相沉积(HFCVD)法,......
采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼......
采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压......
采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜.用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜......
采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜,采用正交实验法设计脉冲偏压电参数,考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米......
针对直流脉冲负偏压对PVD涂层形成过程和熔滴造成很大影响的问题,通过施加脉冲偏压有利于实现低温沉积.研究发现,沉积速率随直流脉......
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的氧化钛薄膜，通过改变脉冲偏压幅值，考察其对氧化钛薄膜性能的影响。结果表明，沉......
用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响．研究表明，与直流偏压相比，直流叠加脉冲偏......
采用四极质谱仪测量了试验参数对高压脉冲增强射频磁控溅射PTFE靶等离子体气氛的影响规律。结果表明：增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽......
利用电弧离子镀技术在TC4基体上制备CrNx薄膜,研究了脉冲偏压对薄膜的组织结构和力学性能的影响。结果表明,在一定范围内提高脉冲......
用直流磁控溅射技术制备CuNiIn 薄膜,研究了电源脉冲偏压对钛合金基体结构和力学性能的影响.采用热电偶丝实时监控沉积过程中的基......
在不同的工艺条件下,利用复合磁控溅射镀膜机双直流溅射靶,镀制了大量的试验样品,通过XP测定不同工艺参数条件下三个试样膜层的硬......
用电弧离子镀设备,在其他工艺参数相同的条件下,通过仅改变脉冲偏压幅值的方法分别沉积TiNbN硬质薄膜,考察脉冲偏压对薄膜相结构的......
利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜．对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系．采用扫描......
以乙炔为气源,用等离子体基脉冲偏压沉积(plasma based pulsd bias deposition缩写PBPBD)技术进行了不同负脉冲偏压条件下制备DLC......
采用脉冲偏压磁控溅射离子镀（MSIP）技术在贫铀表面制备铝镀层，利用电化学测试技术、扫描电镜（SEM）及X射线能谱（EDS）对铝镀层在50μg／gCl^-......
用Edelberg和Aydil的等离子体鞘层模型,对电弧离子镀中大颗粒在脉冲偏压鞘层中的带电及受力情况进行了分析和计算,为大颗粒由于带......
针对脉冲偏压电弧离子镀技术,分析了影响基体沉积温度的各项因素及其影响程度.在直流偏压电弧离子镀沉积温度计算模型的基础上,在......
采用脉冲偏压电弧离子镀设备在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层硬质薄膜,通过仅改变偏压幅值的方法进行对比实验.XRD分析和薄膜断......
综合介绍了多弧离子镀TiAlN涂层熔滴颗粒产生的原因,探讨了N2分压和脉冲偏压对熔滴形成的影响.结果表明,TiAlN涂层中的熔滴颗粒密......
柔性电子技术是一场全新的电子技术革命,引起全世界的广泛关注并得到了迅速发展。鉴于透明度、柔韧性及力学性能要求,高分子聚合物......
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分......
在高速钢和不锈钢基体上用脉冲偏压电弧离子镀技术制备了GRAlN薄膜，研究了脉冲偏压对薄膜成分、结构和性能的影响，并进行了900℃下的......
为了解决电弧离子镀（AIP）工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题，结合脉冲偏压下AIP工艺实验，运用等离子体鞘层理论、电路......
采用中频孪生磁控溅射技术，以Q235碳钢为基体，通过调整薄膜沉积过程中基体负偏压大小，制备TiAlN薄膜．采用原子力显微镜（ AFM）观察薄膜表......
建立起一套工作于真空环境下的基于脉冲电压扫描隧道显微镜(STM)的单原子识别预研究装置。该装置主要由脉冲发生器、真空系统和STM......
本文针对金刚石涂层应用于工具、模具的需要，研究脉冲偏压在热丝法沉积金刚石工艺中促进金刚石形核、生长的作用。进行了不同脉冲电......
采用电弧离子镀方法在不锈钢基体上沉积Cr2O3薄膜.研究了氧流量和脉冲偏压对薄膜相结构、沉积速率、表面形貌、薄膜硬度的影响.结......
利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能.结果表明,与直流......
用脉冲偏压电弧离子镀设备在保持脉冲偏压一致和工作气压恒定的条件下，控制不同氮流量在硬质合金基体上制备了不同氮含量的CNx薄膜．......
用脉冲偏压电弧离子镀设备在保持偏压一致和工作气压恒定的条件下,控制不同氮（N）流量,在硬质合金基体上制备了不同成分的C-N-Cr薄膜.......
在不锈钢基材表面利用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）改变脉冲偏压制备不同结构类金刚石薄膜（DLC）。分别采用表面轮廓仪、扫描电......
通过优化电弧离子镀工艺参数改善TiAlN涂层结构及性能对TiAlN涂层应用具有重要的实用价值。本研究利用脉冲偏压电弧离子镀制备了Ti......
采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试......
利用脉冲偏压磁过滤电弧离子沉积技术在不同负偏压下制备了(Ti,Al)N薄膜,通过扫描电子显微镜、XP-2台阶仪、纳米压痕仪和X射线衍射......
在不同脉冲偏压值下采用90°弯管磁过滤阴极电弧离子镀于硅片表面制备四面体非晶碳膜(Ta-C),研究了脉冲偏压对薄膜硬度、沉积速率......
研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明脉冲偏压幅值在50 0～ 1 70 0V ,脉宽比在 1 2 5～ 2 5的范围内 ,......
