纳米硅薄膜相关论文
本项目是根据现有条件和已了解的纳米硅薄膜的应用特性为基础，主要选择了X射线衍射、红外光谱、辉光放电光谱、扫描电镜等多种分析......
纳米硅(nc-Si)薄膜由非晶相、硅纳米晶粒以及高浓度界面区域构成,具有电导率高、电学激活能低、光热稳定性好、光吸收能力强以及载......
随着英特尔公司宣布开始量产22纳米工艺制程的芯片,集成电路的器件线宽不断减小,基于电荷存储机制的传统存储器已经遇到极大的挑战......
随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世,具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅......
MEMS压力传感器是最早开展研究,进行工艺实现并达到商业化的MEMS器件,能广泛应用于工业控制、生物医疗、环境检测、航空航天等领域......
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以SiH4和H2作为反应气体源,用H2稀释的PH3和B2H6作为掺杂剂,通过改变掺杂浓度......
纳米技术与生物技术结合的日渐成熟,使得生物器件逐渐向高速化,小型化,大容量信息储存化的纳米生物器件方向发展。晶体硅被广泛应......
本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特......
本论文从理论和实验两方面研究了纳米硅薄膜的光学、电学特性.理论上用单电子隧穿理论研究了纳米硅薄膜的电学特性,用声子限制模型......
本工作采用脉冲激光烧蚀技术,在10 Pa的Ar气环境下,沉积制备了一系列纳米Si薄膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、......
目前人类面临的环境污染和能源危机越来越严峻，开发可再生的清洁能源迫在眉睫。太阳能作为绿色能源，取之不尽，又无污染，是人类实现可持......
太阳电池是一种新型的光电器件，人类可以通过它利用清洁的太阳能。对太阳电池材料的研究一直是许多光伏人研究的热门课题。其中对太......
用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄......
采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料.它是由大量具有纳米量级的硅微品粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构......
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，......
研究探讨了镜反射红外光谱在纳米材料方面的应用。通过等离子化学气相沉积法(PECVD),制备本征和掺磷的纳米硅薄膜(ncSi:H),利用镜......
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3～9 nm,厚度为30～40 nm的纳米硅薄膜,并同时......
用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅 单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很......
该文工作主要集中在用于制备非晶硅和纳米硅薄膜太阳电池的多腔室、大面积等离子体沉积系统的研发.在制备工艺方面,系统研究沉积压......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.......
利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行了原位测量.研究了薄膜沉积过......
采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特......
采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜.改变衬底温度、射频功......
引言纳米硅（nc-Si：H）薄膜是一种由大量硅细微晶粒（仅几个纳米nm大小）和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜......
纳米硅（nc—Si：H）薄膜被视为新型硅基薄膜太阳能电池的核心材料。本文从溅射工艺、沉积过程、结构特征方面对溅射法制备纳米硅薄膜的......
利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性，设计出超微压压力传感器芯片结构：双岛一梁一膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐......
纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的，制备可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元：纳米尺度晶粒组元......
纳米硅薄膜冷阴极是一种由大量表面覆盖有超薄氧化层的纳米硅晶构成的平面场发射阴极,具有结构简单、工作电压低、对环境气压不敏......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅薄膜.探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结......
如何制备高密度、分布可控、尺寸一致的纳米硅量子点,是各种纳米器件研究中首先需要解决的问题。在等离子体增强化学气相沉积系统（P......
采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx（nc-Si/SiNx）薄膜。通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,......
使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si:H）具有优异的性能，把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上，制成了nc-Si／c-Si异质结二极......
据1987年Phys.Rev.报道,纳米硅薄膜(nc-Si:H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料.中国科学(A辑)记载,沈文忠......
本发明公开了一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在PECVD设备中生长制备，产品的晶粒大小为d=（2—6）纳米，晶态体积百分比Xc=（53&#......
介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面......
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜.不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率......
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)......
使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc—Si2H)拥有一系列物性，以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管，发现它具......
等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1&......
薄膜太阳能电池是通过光电效应把太阳能直接转化为电能的设备。作为新一代的太阳能电池,薄膜电池具有硅材料使用较少、容易生产制......
采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜.高分辨率电子显微镜和选区电子衍射......
通过改变反应气体中硅烷体积分数,采用直流偏压辅助等离子体化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积本征氢化纳米硅薄膜.使用拉曼光谱仪、......
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的锥膜一体新结构场发射压力传感器原型器件.测试表明当外加电场为5.6×l05V/m时,器件有......
生物芯片技术的日益兴起,使得生命科学领域大量的、复杂的数据采集和处理分析工作可以实现集成化、微型化、连续化。而生物芯片制......
通过对比NaOH／乙二醇和NaOH／异丙醇两种体系的优劣，进行不同腐蚀时间和温度下的绒面制备试验，得到了优化的绒面制备工艺和绒面纳米硅薄......
采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶......
该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质......
