直流磁控溅射技术相关论文
为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池应用需求,本文采用直流磁控溅射技术在553 K温度下生长太阳电池用氢化Mg和Ga共掺杂Zn0(HMGZO)......
采用直流磁控溅射工艺实现了PZT压电蜂鸣片的金属化,分别研究了Cr/Cu/Ag、Ti/Cu/Ag、Cu/Ag三种复合膜系电极薄膜的微观结构和电学......
氧化镍(NiO)半导体材料具有优异的电学性能和化学稳定性,在多个领域有潜在应用。作为潜在的传输层材料,高迁移率和电导率的NiO薄膜......
以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜.研究了衬底温度对......
使用真空直流磁控溅射技术在DI材表面制备Al膜,并对镀铝DI材的可加工性与制备条件及铝膜的厚度之间的关系进行了研究.杯凸和冲杯试......
ITO薄膜由于具有良好的光电特性而广泛应用于液晶显示器中，尤其在扭曲向列(TN)型显示模式中更为重要．本文利用直流磁控溅射技术......
弥散分布于合金中的稀土氧化物与稀土元素一样能提高合金的抗氧化与热蚀性，并且由于其均匀性和添加量不受稀土化合物相形成的局限，可......
本文系统地分析了直流磁控溅射工艺参数对薄膜质量的影响,优化了溅射工艺参数,制备了Cu原子百分比分别为0、5、9的TiNiCu薄膜;优化......
本文通过直流磁控溅射技术在单晶Si(111)基底上沉积UO2薄膜,在相同工艺条件不同沉积时间下分别制备了三组薄膜。通过扫描电子显微......
氧化锌是一种具有六方结构、宽禁带半导体材料。室温下的禁带宽度为3.36eV，特别是它的激子结合能高达60毫电子伏，在目前常用的半导体......
固体氧化物燃料电池(SOFCs)是将储存于燃料中的化学能转化为电能的装置。连接体是SOFC的重要部件之一,起着串联单电池,分隔燃料气......
采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了CuIn预制层,在真空中以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化法对不同厚度的CuIn预制层......
兼具大应变(10％)和高响应频率的Ni-Mn-Ga合金有广泛的应用前景。随着器件向小型化和集成化的不断发展，制备并研究铁磁形状记忆合金薄......
使用Murakami溶液和王水预处理高钴硬质合金刀片，并用直流磁控溅射（DCS）技术在此硬质合金上溅射铝过渡层，在热丝化学气相沉积（HFCVD）设备......
本论文采用Cu-Ni二元合金拼合靶为靶源,利用直流磁控溅射技术在单晶O和A 2O3基板上制备CuxNiy薄膜。通过采用X-射线衍射（XRD）、极图（S......
