薄膜电阻器相关论文
本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr·SiO薄膜电阻器的探索与实践,结果表明,这是一种基于原有设备的具......
文章以CrSi合金为靶材，通过射频磁控溅射制备高功率密度薄膜功率电阻。从溅射参数、热处理参数和电路图形的改善两方面来提高Cr......
TiN有许多良好的物理与化学特性，它有着诱人的金黄色、熔点高、硬度大、化学稳定性好、断裂韧性好、并具有较高的导电性和超导......
本文介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的......
本文介绍了利用磁控反应溅射的方法，找到与制备低温度系数、高稳定性、高精度氮化钽薄膜电阻器相关的氮分压、溅射电压及烘烤温度等......
该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸镧钡薄膜,然后蒸铝和利用光刻技术制作铝电极,从而......
该研究采用三种不同Nb掺杂组分的钛铌酸谰锶（SrLaNbTi0陶瓷半导体薄膜,利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺制备Al／SrLaNbTiO／SiO／Si结构......
当前的小型化趋势将电阻器技术推到了极限.例如,0201尺寸的片状电阻器仅封装就大约占到了元件总成本的60%.对某些在电路板上同一相......
针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择......
查明造成半导体器件损坏的电过载(EOS)事件的根源是有难度的,而EOS事件出现无规律性时难度会更大.为阐明如何才能对EOS事件追根溯......
机械设计是满足应用需求的关键薄膜电阻器的阻值是根据挠度的变化而变化的,跟电位计相比,它的组件大大减少,并且还具有其他优点。......
近期，风华高科下属端华分公司继2016年推出车规厚膜片式固定电阻器后，2017年最新研发推出的车规薄膜片式闭定电阻器，成功通过汽车电子......
当前的小型化趋势将电阻器技术推到了极限。例如，0201尺寸的片状电阻器仅封装就大约占到了元件总成本的60％。对某些在电路板上同一相......
介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材，并郫 用这种靶材进行薄膜电阻中器生产的溅射工艺参数和热处理......
本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr·SiO薄膜电阻器的探索与实践，结果表明，这是一种基于原有设备的......
介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的......
基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比（VSWR）......
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1xSrxNbyTi1......
介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材，并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理......
本文介绍了八种用来衡量电阻器耐湿能力的潮湿试验方法,从中推荐煮沸试验和双85潮湿施加低电压试验,作为最有效的方法。最后用上述......
基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10GHz电阻器，采用磁控反应溅射制作TaN薄膜，电压......
设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电......
