超级结相关论文
近年来,随着新能源汽车、轨道交通、能源互联网和国防军工等应用领域的快速发展,碳化硅（SiC）凭借着卓越的材料性能受到产业界和学术......
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向......
在现代功率器件中,为了提高功率器件的击穿电压,降低导通电阻,超结结构得到广泛的应用。为了降低器件工作时的导通电阻,增大电流的......
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS（SJ-LDMOS）击穿电压的不足，提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构．......
功率半导体器件以其优越的电特性在许多领域取代了传统的双极型晶体管。功率半导体器件导通电阻由于受击穿电压限制而存在一个极限......
高速、低损耗、可集成的横向功率器件是功率集成电路(Power IntegratedCircuit:PIC)的核心和关键。本文以横向功率器件为研究对象,......
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在现代功率器件中,为了提高功率器件的击穿电压,降低导通电阻,超结结构得到广泛的应用。由于设计要求或是降低J-FET效应等原因,在......
基于沟槽型超级结MOSFET,研究了硅外延工艺、多晶硅填充工艺和非晶硅填充工艺对沟槽填充效果的影响,以及不同的沟槽填充效果对器件......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,LDMOS)......
