高密度等离子体相关论文
当晶体管器件结构完成之后,进入后段铜工艺之前,需要一层金属前介质模块（Pre-Metal Dielectric,PMD）沉积层,将晶体管表面高低不平的......
叙述了采用时间空间积分晶体谱仪和时间分辨晶体谱仪等探测器测量铝平面靶强激光烧蚀参数的方法，给出了三倍频强激光烧蚀铝平面靶的......
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用......
高密度等离子体源是材料处理、电磁防护、等离子体隐身等众多应用领域的共同需求。空心阴极放电（Hollow cathode discharge,HCD）是产......
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地......
引言 对于在高能激光或粒子束照射目标靶,以及磁场约束中产生的高密度等离子体的数值模拟研究中,输运系数常采用Spitzer和Braginsk......
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过......
在考虑相对论和有质动力非线性以及全局电量守衡的前提下,分析了强激光在冷等离子体窄通道中稳定传播的情况。采用较为简化的二维......
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统.通过同轴开口电介质空腔产生表面波,利用高磁能积Nd-Fe-B磁钢块的合理分布形成高强磁......
在离子球模型下，本文通过对Poisson方程和Dirac-Fock方程的自恰求解，计算得到了不同电子密度下类氢炭周围的Coulomb静电屏蔽势。该静......
低温等离子体技术已被广泛应用于各高科技领域,并且应用范围仍然在迅速拓展,这对等离子体本身提出了更高的要求,平面大面积、高密......
评述了超高强度激光与物质相互作用的理论和实验结果，描述了在高密度和低密度气体下产生的非线性现象。指出了在高功率激光下，透明介......
高密度等离子体/离子束流在等离子体材料制备和表面处理等方面有着广泛的应用。放电模式和放电条件决定了束流的特性,而束流的特性......
学位
等离子体密度是磁约束核聚变的重要参数之一。氘氚聚变反应产生的功率与等离子体密度的平方成正比。从聚变反应输出功率的角度考虑......
随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望......
专利申请号:CN201110362349.6公开号:CN102417156A申请日:2011.11.15公开日:2012.04.18申请人:北京大学本发明公开了一种刻蚀金属......
高密度等离子体（High Density Plasma,HDP）淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环......
