自组装量子点相关论文
针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱，量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最优阈值......
采用LP MOVPE技术 ,在 (0 0 1 )InP衬底上生长的InAs InP自组装量子点是无序的。为了解决这个问题 ,在InP衬底上先生长张应变的GaA......
研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分......
零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器......
量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题.近年来,自组装量子点的生长与研究越来越受重视,而自组装......
与其他制备纳米材料的方法相比,激光法因为具有环境友好、操作方便等优点而得到广泛的应用。激光液相烧蚀法由于产物受到液体限制,......
近年来，微型化是半导体固态物理技术领域的发展趋势。现代半导体器件中关键单元的横向和纵向典型尺寸都已经达到纳米量级。自从1980......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
分析研究了GaAs InAs自组装量子点的电输运性质 ,通过对实验数据的分析 ,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I V曲线中迟......
自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研究热点.由GaAs包围的InAs小岛,由于较大的晶......
本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .......
制作了含自组织量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒器件 ,研究了器件的电流输运特性 .在量子点充放电造成的电流迟滞回路的基础......
设计了含有InAs自组装量子点(SAQDs)的新型金属-半导体-金属隧穿结构，研究了其直流输运特性，观察到了电流迟滞回路现象.这种回路现象......
首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观......
在 77到 2 92K的范围内 ,系统研究了含InAs自组装量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒二极管的输运特性 .随着温度上升 ,量子......
利用三端电测量方法,研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性.报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验......
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度（I）变化3个数量级的时候,量子点发光的......
各种各样的 InGaAs 层在上的效果结构并且分子横梁的取向附生(MBE ) 种的 InAs 自我装配的量点(QD ) 的光学性质被调查。1317 nm ......
用五带k·p模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析PL谱峰值.发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP......
报道利用低压金属有机化学气相沉积技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＡｓ自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为１６０３ｎｍ，分......
我们在场分子的横梁取向附生在 InGaAs 变形缓冲区上种的 InAs/InGaAs QD nanostructures 上的研究，那被设计以便决定 QD 并且，然后......
This work deals with the study of optical and morphological properties of InGaAs/AlGaAs quantum dot(QD) structures grown......
本文对张应变ＧａＡｓ层引入使ＩｎＡｓ／Ｉｎｐ量子点有序化排列的机制进行了分析，为提高ＩｎＡｓ／Ｉｎｐ自组装量子点特性提供了理论依据。......
采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点是无序的。为了解决这个问题，在ＩｎＰ衬底上先生长张应变的ＧａＡｓ层，然后再生长ＩｎＡｓ层，可得到有序化排列的量子点......
半导体量子点由于三维量子限域效应导致其类原子分立能级结构的存在，可望得到性能优异的新型光电器件。如以量子点作为激活层的激光......
GaxIn1-xAs1-ySby和InAs1-xSbx量子点的响应波长覆盖低温辐射体热光伏(TPV)电池的最佳波段。目前已报道的高性能的低温辐射体锑化......
为确定异质结界面带阶，结合光致发光（PL）谱和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果，利用有效质量近似理论，计算得到了InAs／GaAs自组装量子点结构的能......
InAs/GaAs量子点由于发光波长位于光纤无损窗口中而得到广泛深入的研究。若将成熟的InAs/GaAs量子点生长工艺和GaAsSb合金结合起来......
量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题。近年来，自组装量子点的生长与研究越来越受重视，而自组装技......
