氟化非晶碳薄膜相关论文
用紫外 可见光透射光谱 (UV VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱 (XPS)和红外谱 (FTIR)分析 ,研究了电子回旋共振等离子体增强化......
以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜。发现薄膜的沉积速率......
使用C2 H2 和CHF3 的混合气体 ,在改变微波功率的条件下 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄......
使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光......
使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .......
用紫外-可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相......
用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性......
用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱......
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延......
以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品.用原子力......
本文使用CH2F2为源气体，利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICP-CVD）法在不同放电模式（连续或脉冲）、沉积气压、射频功率和位置下制......
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法，在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）和傅里叶红外......
使用光强标定的发射光谱( AOES)测量了 CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振( ECR) 放电等离子体中基团的分布状态.实验发现随着 ......
在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主......
利用静电探针和光强标定的发射光谱（AOES）研究了CHF3、CHF3／C6H6气体ECR放电等离子体的特性及氟化非晶碳薄膜（a-C：F）的结构与等离子体空......
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料.介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对......
以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜.薄膜的结构和性......
