硅纳米晶相关论文
Low dimensional silicon, where quantum size effects play significant roles, enables silicon with new photonic functional......
由于高比容量和长寿命等突出优势,锂离子电池被广泛应用于各类电子产品及大规模电网能量贮存领域。但有限的锂资源带来的高成本问......
为了提高光子晶体光纤的非线性系数,降低色散斜率和制作难度,提出了一种硅纳米纤芯光子晶体光纤,其纤芯和包层空气孔都为圆形.利用......
作为有前途的半导体材料之一,过去的几十年中,硅纳米晶在太阳能电池,光电子,医学诊断和生物成像等方面都有广泛应用,由于其自然丰......
本文研究了脉冲激光液相烧蚀法制备硅纳米晶,不同靶材,不同激光参数对硅纳米晶形貌、结构的影响,对合成理论和工艺进行了研究;并研......
随着集成电路的不断发展，传统金属互连的信号延迟、器件过热等问题限制了器件性能的进一步提升。光互连被认为是一种有效的解决途径......
SiC作为第三代半导体材料,其结构稳定,有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度,适合制作高温、高......
硅纳米晶（nanocrystalline Si，nc-Si）由于存在量子限域效应，禁带宽度可调的性质，能增强硅的发光效率，而且与现有光电、微电子产业的工艺......
随着煤、石油等常规能源逐步接近耗尽以及环境压力的增加,世界上许多国家都在努力探索新能源的开发和利用,这使新能源开发成为二十......
超大规模集成技术的日益发展迫切需要研制硅基发光器件，以实现未来微型高速计算机芯片之间的光互联。晶体硅由于是间接带隙材料，其带......
椭圆偏振光谱测量是一种非接触、非破坏的测量方法，已经被广泛应用到光电子材料工艺和科学研究中。主要用来研究光频电磁波在两媒质......
提高硅的发光效率是实现硅基光电集成的前提，镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si：SiO)是实现硅发光的一条重要途径。本论文研究了......
利用离子注入和后续高温退火的方法制备了包埋在二氧化硅（SiO2）基质中的硅纳米晶，研究了不同离子注入浓度试样的微观结构和发光性能，以......
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×10^14cm^-2和2.0×1015cm^-2的Ce......
利用磁控溅射技术溅射硅靶，通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO／SiO2超晶格，热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通......
硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件，如调制器、光放大器和发光二极管等。人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比，其发光......
通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将......
硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件。采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx／Si纳米多层膜，并对其结构与......
利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处......
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶（nc-Si）发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/Si O2超晶格结构。随后......
利用射频磁控溅射法通过调节硅（Si）靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅（SiOx,1〈x〈2）薄膜。通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中......
通过磁控溅射技术制备了非晶态富硅的碳化硅锗（Si 1-x-y Ge x C y）薄膜，经过后续高温热处理，形成各向异性硅纳米晶，其微结构和光学特性......
通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对......
硅纳米晶由于量子限域效应的作用而产生了多种不同于体硅材料的新特性,如荧光效应显著、光学带隙可调等,因而在微电子、光伏、生物......
摘 要：实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料，基本上无发光，当Si的尺寸减小到纳米量......
用硝酸和氢氟酸的混合酸液腐蚀普通硅粉,经过超声空化作用,分别在去离子水、无水乙醇中制备出硅纳米晶颗粒.硅纳米颗粒的平均粒径......
硅光子学是在硅上实现各种光学功能的技术,在生命科学、医学、信息、计算、传感、能源等领域有广泛的应用前景。其中最具吸引力的......
利用离子注入结合后续高温退火的方法成功地制备出包埋在二氧化硅（SiO2）基质中的硅纳米晶。利用透射电子显微学对所制备的硅纳米晶（离......
硅是一种非常重要的半导体材料,在电子工业的应用和发展中具有不可替代的地位。但由于硅是一种间接带隙材料,发光效率极低,为丰富......
采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结......
