电迁移效应相关论文
本文阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊......
三维集成电路是通过硅通孔将多个相同或不同工艺的晶片上下堆叠并进行垂直集成的新兴芯片集成技术。通过这种集成,芯片可获得更小......
三维集成电路通过硅通孔将多个相同或不同工艺的晶片上下堆叠并进行垂直集成。该技术可显著缩小芯片的外形尺寸,提高晶体管集成密......
为响应工业制造轻量化的趋势,以铝合金和镁合金为代表的轻合金得到广泛的关注和应用。然而,镁为六方晶系,较强的基面织构导致了较......
现在的深亚微米工艺使用复杂的多层金属结构与先进电介质材料，随着工艺的进步，集成电路的器件尺寸越来越小，金属互连线做得越来越细，金......
研究了250℃条件下电流对SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的界面反应的影响。实验结果表明未施加电流时SnBi共晶熔体／Cu反应偶界......
电迁移是金属原子沿着电流方向的移动.阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导......
本文首先针对半导体可靠性测试项目一电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍。第二部分主......
<正> 我所自制的Auger电子能谱仪的一次电子激发源是直热式电子枪发射的电子束。电子枪的热阴极是直径0.12mm,长15mm的发叉式钨丝,......
使用Zn-Al合金作为钎料,采用直流电阻钎焊技术对6063铝合金进行钎焊连接.研究了电迁移现象对钎焊界面显微组织及形貌的影响,并分析......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)......
由于Pb元素具有毒性,各国相应的法规禁止使用含铅焊料,因此无铅焊料的研究迫在眉睫。目前已经有上百种无铅焊料。Sn-3.5Ag系无铅焊......
随着芯片设计进入超深亚微米和纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,布线层数越来越多,P/G网的规模日益庞大复杂,P/G网上承载的电流......
受电场作用能够引起金属材料中的原子迁移速率显著加快现象的启发,中国科学院金属研究所的研究人员提出了利用涡流电迁移加速金属......
