铜互连线相关论文
大马士哥艺铜互连线工艺已经广泛的应用于超大规模集成电路铜互联线的制造过程。而为填充高深径比、直径在0.1微米左右的道沟，需要......
基于铜的随动强化模型，使用三维有限元方法研究了铜互连的应力特性。模拟结果表明，使用low-k电介质比起Ox/low-k来，降低了Cu/通孔中的......
采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄......
针对先进纳米铜互连技术的要求，比较了直流和脉冲两种电镀条件下铜互连线的性能，以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化......
利用三维有限元模型对Cu互连线通孔进行了电流密度、温度和温度梯度分布进行了模拟,比较了具有不同阻挡层材料通孔的电流密度、温......
在近几十年的集成电路发展当中，电子器件的特征尺寸一直在遵循着摩尔定律而不断地缩小。随着器件关键尺寸的缩小，虽然给IC产业带来了......
前言rn对高性能器件的需求使得在半导体制造中推介新型材料的速度大大加快了.事实上,铜、钽基阻挡层、低k电介质以及碳化硅蚀刻停......
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
在ULSI中采用Cu互连线代替Al以增加电子器件的传输速度和提高器件的可靠性.Cu的激活能约为1.2eV,而Al的激活能约为0.7eV.Cu互连线......
前言对高性能器件的需求使得在半导体制造中推介新型材料的速度大大加快了.事实上,铜、钽基阻挡层、低k电介质以及碳化硅蚀刻停止......
利用三维有限元模型对Cu互连线通孔进行了电流密度、温度和温度梯度的分布进行了模拟,比较了具有不同阻挡层材料的通孔内的电流密......
随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的......
论述了Cu作为互连金属的优点、面临的主要问题及解决方案，介绍了制备Cu互连线的双镶嵌工艺及相关工艺问题，讨论了Cu阻挡层材料的作用......
采用乙醛酸代替有害的化学药品甲醛作为还原剂的化学镀技术：在TiN阻挡层实现了化学镀铜。研究了不用贵重金属钯催化，而是采用NH4F酸......
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm的刻孔的无......
介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题，对其产生的原因及影响因素进行了分析。针对影响因素中的工艺条件，分别进行了不同压力、温度......
ULSI多层铜互连线中，由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异，使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷板易发生。研究分析......
随着集成电路中信号频率的不断升高以及多层互连结构散热条件的恶化，传输脉冲或者交流信号互连线的可靠性问题也越来越突出。当频率......
简述了ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况，并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取、铜淀积工艺的研究及化......
在ULSI中采用Cu互连线代替Al以增加电子器件的传输速度和提高器件的可靠性.Cu的激活能约为1.2eV,而Al的激活能约为0.7eV.Cu互连线......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
本论文主要研究了ULSI中铜互连线的微观结构和应力及其对与电徙动MTF的影响。采用AFM、SEM和TEM测评晶粒结构。受到凹槽侧壁形核的......
介绍了一种碱性抛光液，选用有机碱做介质，SiO2水溶胶做磨料，依据强络合的反应机理，克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝......
