脉冲上升时间相关论文
对GB/T 7626.4-2018《电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验》中对的试验设备、试验布置等条款进行详细分析解读,并......
１５０ＭＷ脉冲调制器投入使用１５０ＭＷ脉冲调制器性能指标与美国同类设备指标比较项目本调制器美国ＳＬＡＣ（第二代）输出脉冲功率１５０ＭＷ１５０ＭＷ输出脉冲电压３５０ｋＶ３５０ｋＶ输出脉冲电流４３０Ａ４１４Ａ输出......
程控单结晶体管(PUT)又称可编程成可调式单结晶体管。它实质上是一个N极门控晶闸管,因用途与单结晶体管相近,故纳入单结管之列。......
本文从理论上分析了高效率Blumlein型微带光导开关的频率特性及影响输出电脉冲频带宽度的因素,指出这种光导开关能产生大于20GHz频......
本文简要介绍非线性光导开关的工作原理，重点报道作者对非线性光导开关输出特性的实验研究比较了光导开关线性和非线性工作的输出......
介绍了MCP－PMT组件设计的几个基本问题，指出获得良好时间特性波形的关键是阻抗匹配。
Several basic problems in the design of MC......
报道了用 ns和 fs超快脉冲激光器触发 Ga As光电导开关的实验结果 .用 μJ量级的 ns光脉冲触发3mm间隙的 Ga As光电导开关 ,观察到......
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝......
为了避免在高功率光纤放大器和光纤相位共轭镜等实际应用中因受激Brillouin散射(SBS)造成的光纤损伤,根据描述SBS动态弛豫振荡特性......
高压脉冲技术已经广泛地应用于现代社会科学技术和工业中.文章针对传统的脉冲高压发生器体大笨重,系统复杂,难于携带的缺点,指出RF......
本装置适用于标定和检定磁感应强度范围为1～7T、磁场脉冲上升时间为1ms 的脉冲磁场特斯拉计。本装置采用磁感应强度的磁光测量法,......
1.前言高压脉冲波形的测量主要采用脉冲气体激光器及脉冲 X 射线发生器等。在实际应用中,分压器不单需要相当高的分压比,同时还要......
通过分析不同爆心距处典型单孔爆震实测波形，提出了确定爆破地震波中Ｐ波、Ｓ波及Ｒａｙｌｅｉｇｈ波在岩体中传播时的衰减参数的方法。
By analyzing t......
中国计量科学研究院于1986年研制成功“脉冲参数测量系统”亦称“自动时域测试系统（ATDMS）”，于1986年9月通过了国家技术鉴定。1990年......
目的 观察电磁脉冲(EMP)对海马神经元的损伤效应及其对[Ca2+]i的影响,以深入探讨EMP致脑损伤的机制. 方法 EMP辐射条件为6×104V/m......
文献上曾介绍过很多种不破坏读出的磁心存储器,这些存储器在读数时利用磁矩转动,而不是畴壁位移的方法来产生输出脉冲。这种方法......
本文讨论脉冲扩展互作用振荡器(以下简称EIO)的有关问题。简要介绍EIO在几个实验系统中以十毫微秒至几百毫微秒的脉宽工作时所取得......
劳兰德公司已研制了一种超速扫描转换储存管。这种管子能以毫微秒或更短的脉冲上升时间记录与储存瞬变现象。Rauland之新R 6253管......
在研究由冲击声所引起的听觉衰减的一些实验中,需要应用到上升时间和持续时间都可以独立地控制的三角形脉冲.通常的三角形脉冲产......
3FT 晶体管(国外叫 PUT,即 Progra-mball Unijunction Transistor 的缩写,我国有的单位译作可编程序单结晶体管,我们暂称3FT 晶体......
本文使用时间响应法测量8～14μm红外探测器响应时间。产生的电脉冲上升时间小于1.5ns。红外探测器直接接入示波器,可在示波器上观察......
本双脉冲发生器,只用8只电子管(电源除外),结构比较简单,操作也较方便,介绍如下:一、主要技术指标延迟时间:2微秒～2毫秒.脉冲宽度:......
本文概述了充气触发管的工作过程、性能特点、工作模式、变换特性和电气参数;说明了影响触发管的脉冲上升时间、延迟时间和抖动、......
为了用液相外延法制出高速、高增益异质光敏晶体管,采用了新型的双集电区结构,并且采用Mn作为p型掺杂剂,以代替常用的Zn或Cd制作p~......
前言许多激光和微波发射机同时要求快速的脉冲上升时间和体积重量的小型化。结合这两方面的要求,最希望的是在线型脉冲调制器发射......
热释电探测器过去多用于10μm甚至更短的波长,因为大多数热释电材料在这一波长范围具有最佳吸收特性。但研究表明,诸多材料在毫米......
2号强流脉冲电子加速器是我们新近研制的一台采用水介质单同轴线的加速器,其设计指标为:电子能量:650kev, 电子束电流:150kA; 脉......
半导体探测器由于具有较高的能量分辨率、良好的脉冲线性响应、脉冲上升时间短以及在中子,γ,β场中对带电粒子测量影响小等方面......
利用上升时间谱仪及γ束位置扫描技术,测量了双开端同轴Ge(Li)探测器的脉冲波形,并与理论值进行了比较,对理论曲线和实验曲线的差......
一、引言金-硅面垒型探测器是目前最为成熟、运用最为广泛的一类半导体射线探测元件。在低能核物理领域中,它所具有的极高的能量......
一、引言金-硅面垒型探测器具有下列的特点:能量分辨率高;脉冲上升时间短;耗尽层宽度可调节,因而能甄别不同的射线;脉冲高度与能......
高能物理实验常用的多丝正比室及正比计数管经常采用气压略大于一个大气压的充气。由于低气压的正比计数管具有工作电压低、脉冲......
我们用粒子辐照法测量了北京综合仪器厂生产的GDB—50型光电倍增管的脉冲幅度-电压曲线、信号噪声比和脉冲上升时间等特性,并和PH......
本文详细地描述了锂漂移金硅面垒型探测器的制造工艺。这种探测器同时兼备了锂漂移型和面垒型探测器的优点。文中给出了探测器的主......
在室温下P型锗单晶中的光子牵引效应为研究高气压CO_2脉冲激光器提供了一个简便的探测方法;对TEA CO_2激光器的输出(峰功率为90kW/......
正电子寿命谱仪是正电子湮没实验的基本装置,探头是影响谱仪时间分辨率的关键部牛之一。目前国内正在工作的二十余台寿命谱仪中,......
1.前言圆柱形镍铁磁膜记忆元件的磁通沿圆柱周线形成闭合磁路,这样便没有退磁场的问题,故可研制实用的厚磁膜。随着磁膜厚度的增......
本文首先简要介绍了脉冲发生器检定的方法,然后在阐述高端计数器、数字万用表指标的基础上,对计数器脉冲参数测量、数字万用表高精......
本文在已有四开关组LTD模块的基础上设计了对1Ω负载输出电流100kA、脉冲上升时间小于60ns的八开关组LTD模块,在此基础上,给出了峰......
本文介绍一台小型脉冲触发器.它由同轴Marx发生器、输出电缆、充电电源等部分组成.发生器的所有器件和充电电源都装在一个直径350m......
