陶瓷基片相关论文
随着厚膜电路技术的发展,混合集成电路的集成度越来越高,要求提高混合集成电路陶瓷基片布线密度,而陶瓷基片双面布线是提高集成密......
应用磁控溅射技术的陶瓷基片和玻璃基片上分别制备了NiNbO和TiO光催化薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-VIS-NIR......
电子封装材料是用于承载电子元器件及其相互连线，并具有良好电绝缘性的基体材料，主要起机械支持、密封保护、散失电子元件所产生的热......
报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、 ZnS:Sm, Cl作为发光层的红色薄膜电致发光器件。 测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲......
报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ，Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线，研究了发光......
日立化成工业公司研制成在陶瓷基片上进行厚膜印刷的钇系高温超导体,其临界电流密度在液氮温度(77K)下可提高到2100A/cm~2。利用......
采用三点弯曲法测试BeO陶瓷基片的抗折强度，对样品的显微结构进行了分析，发现呈现过烧显微结构的样品，抗折强度较低。
The flexural ......
用调Ｑ红宝石脉冲激光辐照ＰＺＴ压电陶瓷基片表面上的银膜时，观察到所产生冲击波间的调幅现象。这表明，激光所产生的冲击波在压电陶瓷片中引......
发光二极管是大家熟知并常用的电子元器件。本文介绍一组贴片式发光二极管及贴片式数码管,它们的原理及应用与一般的发光二极管和......
采用了将超声波辅助化学镀铜工艺与传统化学镀铜工艺对比的方法，研究了超声波辅助处理在陶瓷基片化学镀铜（包括前处理）中的作用，结果表......
主研人员：李滨陈玲魏萍刘仁厚2GHz～20GHz超宽带功率放大器。其特点是选用多级GaAS行波放大器芯片，通过稳定、可靠的半导体工艺，把GaASM......
一、综述厚膜电路是在阻容元件和半导体技术基础上发展起来一种混合集成电路。它是利用厚膜技术在陶瓷基片上制作膜式元件和连接导......
利用ASAP光学分析软件,对Ce3+∶YAG荧光陶瓷封装白光LED的出光特性进行了模拟分析。结果表明,当Ce3+∶YAG荧光陶瓷掺杂浓度一定时,......
采用高纯Si粉作为起始原料，通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含......
生产透光性陶瓷是高纯(Al_2O_3>99.9％)氧化铝的主要用途之一。透光陶瓷用在节能和光效好的第三代光源——高压钠灯上。高压钠灯目......
1999年12月18日,-淄博博航电子陶瓷有限责任公司举行了开业仪式,该公司是由北京航空材料研究院控股,与山东博山电瓷厂和淄博市博山......
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为了实现小型全金属壳冲击片点火器满足5000 V/1 min的介质耐压要求,研制了一种爆炸箔飞片组件。该组件采用复合聚酰亚胺薄膜作飞......
本文从离子镀技术的基本原理出发,用普通真空镀膜机设计,改装成离子镀设备。为了实现对非导体陶瓷基片进行离子镀膜,根据非导体本......
本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件（ＣＳＴＦＥＬ），使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片，同时又作为器件中的绝缘层，陶瓷片表面无需抛光......
采用蒸镀、离子束辅助沉积（IBAD）技术，在Al2O3（单晶、多晶）和玻璃基片上沉积钼膜，通过XRD，TEM等分析手段对于钼膜的织构及其产生机理进行......
利用金属有机气相沉积 (MOCVD)方法 ,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2 O3 陶瓷基片上制备多晶钼膜 .通过该薄膜的表面形态及其结......
本文报道了用胶体法和溶胶一凝胶法制备高T_cYBCO体材料和厚膜的主要结果。胶体法体材料样品的T_(co)和J_c分别达到89.7K和613安/......
在半导体光电器件管壳零件的加工中，陶瓷、不锈钢和可伐等不导磁材料的磨削加工长期以来都是一大难题。文章介绍了一种新颖的方法，解......
利用正电子湮没谱（ＰＡＳ）分析技术对超细粉α＿Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片（板）的烧结反应过程进行了检测研究。对在４种不同的温度下得到的烧结体作ＰＡＳ分析研究，发现正......
作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价......
介绍了一种基于内匹配功率管的Wilkinson微带功率分配器设计新思路。传统Wilkinson微带功率分配器在低频段体积大,用于内匹配功率......
近代雷达和电子对抗设备大都采用电可调相控阵天线,这种系统常用固态功率源作为天线的集成部分。用混合集成电路工艺,在陶瓷基片......
IBM3081处理机使用一种高性能多层陶瓷多芯片组件,使该机获得了优良的性能。这种热导组件在90×90mm的多层陶瓷基片(MLC)上有33层......
大面积混合电路(以下简称 LAH)是一种充分验证了的微电子组装概念,这种概念是把常规的混合电路技术发展到高一级即组件级的组装水......
为了降低系统的造价和提高效率,一九七二年,美国电子技术和器件实验室在维里安公司首先研制了一种印制行波管。这种管子的特点是......
与同样性能的通常的行波管相比较,印制行波管提供了这样的希望:管子造价降低一个数量级的幅度。造价低是由于需要的机械加工零件比......
当西部电气工程研究中心(ERO)建造在新泽西州普林斯顿郊外一所小农舍的时候,它就是世界上第一个专门致力于制造技术的实验室。该......
在陶瓷基片上制作金属化图形,是半导体器件和集成电路封装的重要工序之一。当前,厚膜丝网印刷技术是形成这种图形的主要方法。随着......
本文介绍了一种10千兆赫脉冲多卜勒雷达激励源用的混合集成场效应晶体管(FET)功率放大器。FET放大器由两级放大级组成。隔直电路......
尽管几种表面处理都增加了铜和陶瓷的结合力,但最有希望的还是利用熔融的NaOH——这是依据J.G.Ameen,A.W.Gillis,C.E.Samuelson和......
本文介绍一种高中频输出的微波集成平衡混频器。在C波段,中频输出在250～400兆赫通带内,混频器的前中放单边带整机噪声系数(包括前中......
微波PIN开关在雷达、通讯、电子对抗以及脱靶测量上得到日益广泛的应用。它的响应速度快、能精确控制以及体积小,重量轻等特点实......
采用超自对准工艺技术(SST),制成了一种8位精度的超高速单片数模转换器(DAC)。为了改进由建立速度、时钟馈通噪声和低频干扰确定的......
本文介绍一种工作在-40℃～+80℃之间的微波集成收—发固态源,从米波段到五公分频率的十多个部件,全都制作在陶瓷基片和铁氧体基片上......
本文根据已知的CCD混合集成驱动电路的设计数据、用途和结构,采用混合集成电路失效率的预测模式,对最近研制的GHG4801Z型CCD二次集......
