ALGAINAS相关论文
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，实现了1．31μmAlGaInAs／InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时，管芯最大......
采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱......
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGa......
考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓......
研究量子阱部分无序是该论文的重点,我们采用了几种不同的方法来实现异质结界面的无序.在介绍实验工作的同时还加强了理论分析的力......
讨论了影响激光器高温特性的主要因素,提出了在1.3 μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导(RM-RWG)结构可以改善......
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AIGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀.AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为......
A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum W
<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers......
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外......
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外......
研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍ ＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料，为器件......
德国nanoplus公司推出了具有灵活波长范围的单频DFB半导体激光二极管，波长上限为2．85μm。DFB半导体激光器在室温下以连续方式工作，输......
Using beam propagation method （BPM）, key optical design parameters of InP/AlGaInAs multiple quantumwell （MQW） ring laser wer......
为了提高852nm半导体激光器的温度稳定性，理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益，模拟对比并研究了不同量子阱的增......
利用通过金属化学气相沉积法长成的AlGaInAs饱和吸收体，对808nmLD泵浦的Nd：YVO4键合晶体进行被动调Q，获得了波长为1．06μm的激光脉冲，测......
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范......
讨论了影响激光器高温特性的主要因素，提出了在1．3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导（RM－RWG）结构可以改善激光器......
