CU掺杂相关论文
利用坩埚下降法成功制备了具有标准Pnma空间群结构的Cu掺杂SnSe晶体，其尺寸为φ18 mm×55 mm,Cu元素在晶体中均匀分布。该晶体为P型......
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
ABO3型掺杂钙钛矿型锰氧化物Ln1-xMxMnO3 （Ln=稀土金属离子,M=Ca,Sr,Ba或Pb）,由于其庞大的磁电阻效应（CMR）,已经引起了人们的广泛关注......
四方超结构Sr3YCo4O10.5+δ材料因其有序结构和高Tc～335 K被广泛研究,发现A位（Sr/Y）有序和氧空位有序是室温铁磁性产生的关键因素;此......
TiO2纳米材料良好的光电性能, 为其作为制备染料敏化太阳电池等新型太阳电池的光阳极材料提供了很好的应用基础。采用溶胶-凝胶法......
制备Cu掺杂的纳米SnO2/TiO2溶胶, 采用旋涂法在载玻片上镀膜, 经干燥、煅烧制得Cu掺杂的SnO2/TiO2薄膜, 通过对比实验探讨掺杂比例......
氟化锂（LiF）材料在x射线单色仪、紫外线滤波器和热释光剂量计等领域有广泛的技术应用。LiF:Mg,Cu,P作为热释光剂量计，由于其超高的灵......
有机污染物严重影响了地球环境和人类健康,开发绿色降解有机污染物技术成为当前解决其污染问题的关键。光催化技术利用太阳能处理......
在光催化研究中,TiO2属于典型的光催化材料。相比其他光催化材料,TiO2具有安全无毒、性质稳定和价格低廉等优点。决定TiO2光催化性......
Inconel 718合金是时效强化型镍铁铬基高温合金,由于其具有良好的高温抗氧化性、耐蚀性以及热稳定性等高温性能,被广泛应用于航空......
采用溶胶-凝胶法制备了掺镧介孔纳米TiO_2,通过刮涂法制得掺镧介孔纳米TiO_2薄膜;采用水相合成方法,常温条件下合成核壳结构Cu掺杂......
碲化铋（Bi2Te3）基材料在近室温区半导体制冷和热电发电方面具有广泛而重要的应用。然而商业化区熔碲化铋材料存在机械性能较差、易解......
采用双磁过滤阴极真空弧和磁控溅射沉积法,在Cu基体表面上制备了以钛(Ti)和钛化碳(TiC)过渡层材料的Cu掺杂非晶类金刚石(DLC)薄膜.......
期刊
为了比较常见的3种金红石相半导体传感器的光催化性能的差异,文章基于密度泛函理论(DFT)体系下的平面波超软赝势方法,计算了HCl分......
锑碲基相变材料虽然具有高结晶速度和低结晶温度等优点,但由于低阻态电阻过低,容易导致复位(reset)电压过高,且热稳定性较差,无法......
纳米ZnO由于其独特的物理和化学性能，在自旋电子学、光电器件以及生物传感器等领域具有重大的应用潜力。用Cu对ZnO进行掺杂可改变Zn......
最近几年,特别是具有室温铁磁性的稀磁半导体材料,由于它们在自旋电子学器件方面具有潜在的应用前景,引起人们的广泛关注。宽带隙T......
作为一种半导体氧化物，二氧化钛具有无毒、价廉、性质稳定、催化活性高等一系列优点而在光催化降解污染物、光解水制氢、传感器及染......
相变存储材料在光存储和电存储领域具有广阔的应用前景,GeTe是其中首次发现的综合性能优异的相变存储材料,己商业化应用在光存储器......
气凝胶(aerogel)是一类具有高比表面积、高孔隙率、低密度等性质的纳米多孔固体材料，有表面界面效应、量子尺寸效应、掺杂吸附能力......
所有的微波系统均是由众多作用不同的微波元件和微波器件共同构成的。微波器件的小型化和集成化又是目前应用领域发展的热点问题。......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，可以在室温下实现紫外光的受激发......
在该论文中,研究人员通过对锰氧化物进行掺杂研究,对CMR材料的物性以及磁阻机制进行了一些探索.该论文分为四章.第一章首先回顾了......
MgB2是2001年初报道具有超导电性的，其Tc为38.5K，在同类化合物中是最高的。由于其高Tc，结构简单以及不含Cu-O面，使得它成为最具应用潜......
多孔硅是一种多功能半导体材料,氧化锌具有新异的光学、电学及气敏特性。本文采用电化学腐蚀法以p型(100)单晶硅为原材料制备了多......
采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜，并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响，利......
采用基于密度泛函理论的投影缀加平面波方法和广义梯度近似,研究Cu掺杂对6000系铝合金中主要强化相 β″相(Mg5Al2Si4)的几何结构......
利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(FexPt1-x)100-yCuy(x=0.46-0.56,y=0,0.04,0.12)样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt......
期刊
采用溶胶-凝胶法制备了不同颗粒尺寸的La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.04)系列试样。X射线衍射实验说明Cu掺杂和不同温度烧结没有改变晶......
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对......
制备Cu掺杂的纳米Sn O2/Ti O2溶胶,采用旋涂法在载玻片上镀膜,经干燥、煅烧制得Cu掺杂的Sn O2/Ti O2薄膜,通过对比实验探讨掺杂比......
实验研究了在不同工艺条件下制备的La2／3Ca1／3Mn1-xCuxO3系统，结果显示在1200～1400℃温度范围内，电阻率-温度曲线上会出现双电阻峰现象，......
采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射......
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算......
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、......
采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn1-xCuxO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨......
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si......
采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、霍尔测试仪（HALL8800）以......
摘 要：本文通過溶胶-凝胶法成功制备了Pr1.8La0.2Ni0.95Al0.05O4+δ和Pr1.8La0.2Ni0.85Cu0.1Al0.05O4+δ材料，并使用XRD衍射仪、热膨......
以TiCl3为原料,通过喷雾干燥法一步合成锐钛矿Cu/TiO2,并用于紫外光下还原硝酸根.利用XRD,SEM,TEM,紫外可见漫反射等研究样品的性......
随着对光催化材料研究的深入，金属掺杂在近几年的研究中发展迅速，其应用前景备受关注。文章结合近年来Cu掺杂TiO2光催化材料的研究情......
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12（Cu-CCTO）陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对......
锂硫电池因其能量密度高和原材料丰富等优点而备受关注。应用第一性原理方法对Li_2S及其掺杂化合物的晶体结构、电子性质进行了研......
采用沉淀法制备了不同Cu含量的Cu/ZnO复合氧化物光催化剂,并用于光催化降解糖蜜酒精废水的反应中,考察了Cu掺杂量,催化剂用量,溶液......
采用高压釜水热法制备了不同Cu掺杂摩尔配比组分的ZnO,Zn_（0.99）Cu_（0.01）O,Zn_（0.97）Cu_（0.03）O,Zn_（0.95）Cu_（0.05）O和Zn_（0.92）Cu_（0.08）O粉晶。......
