N沟道MOSFET相关论文
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随着能源和环境问题的加剧,在行驶过程中几乎不会产生任何污染的电动汽车得到大力发展,作为电动汽车驱动能源的电池的性能决定着电......
凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）出LTC3787的H级和MP级版本。这款大功率两相单输出同步升压型DC／DC控制器用高效率N沟道MO......
凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出0—18V双通道理想二极管控制器L1陀4353。该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低......
凌力尔特公司推出过压保护控制器LT4363，该器件为高可用性电子系统提供了过压和过流保护。LT4363通过简单地控制一个N沟道MOSFET，实......
安森美公司的NCV8876是一款非同步升压控制器，用于汽车启停使得输入电池电压骤降，输出保持正常供电的应用。该芯片采用内部斜坡补偿......
英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS34......
Linear推出双路热插拔（Hot Swap）控制器LTC4222，用于保护具有多个范围为2．9V至29V的负载电源电压的电路板。通过控制外部N沟道MOSFET以......
美国国家半导体公司的LM5001高压开关模式稳压器具有实现高效率高压升压、反激、SE-PIC和正激变换器所需要的所有特性，几乎无需利用......
Vishay Intertechnology推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案SIC779C......
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通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了......
英飞凌科技近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,......
