随着电力电子技术的发展，功率电子器件已经迈入飞速发展的阶段，绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor-IGBT）作为功率......

目前,大多数芯片封装都会在铜金属上覆盖一层锡与铅材料.在封装行业向无铅封装转移时,许多封装将仅在铜表面覆上一层锡,并且通过电......

英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式......

英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N......

本文对无铅封装器件的测试问题进行了分析，并描述了ECT公司的解决方案。...

无铅封装工艺是IC制造商为了顺应电子产品无铅化趋势而发展起来的,但存在晶须生成的潜在威胁。因此,锡须的抑制方法成为研究的关键......

当今的电子产品大多含有铅，然而为了进行环境保护，全球都在向无铅化方向改进，世界上很多知名的电子产品制造企业纷纷加入了倡导无铅化......