ZNO纳米结构相关论文
目前,人们已经实现了采用多种方法制备ZnO纳米结构。然而,实现大规模可控制备高质量的ZnO纳米结构,仍然是一个挑战。本论文,首先利......
本论文的研究结果概括如下： 1.SOI衬底上生长的多足状纳米ZnO的光致发光与受激发射采用热蒸发法，在没有催化剂的条件下，在SOI衬底......
ZnO作为重要的Ⅱ～Ⅵ族半导体纳米材料，具有独特而优异的光电特性和很好的生物相容性，在发光二极管、传感器、光催化、生物医学等领域......
近些年来，大量研究者从事小型气体传感器的研究，特别是有毒气体的探测和污染监控。这些研究工作主要包括新材料、新方法、新原理的发......
利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响.研究结果表明氧分......
基于液滴微反应器,通过水热法合成ZnO纳米结构.该芯片集成了多种功能单元,包括用于液滴生成的T形通道,液滴汇合的Y形通道,以及快速......
我们采用溶胶．凝胶法合成了不同形貌的ZnO纳米结构，详细研究了退火温度对ZnO结构和形貌的影响。SEM结果表明在900℃可以合成ZnO纳米......
ZnO本身具有许多优点,其纳米材料对比于其他纳米材料有更大的潜在应用价值, 因此ZnO纳米结构的制备研究一直是近年来国际上研究的......
利用电子束反应蒸发（REBE）技术、多晶ZnO（纯度99．99％）陶瓷靶为原料、在NH3／H2混合气（NH3的体积比2．71％）环境下生长了ZnO纳米结构材料，研究了衬......
ZnO作为一种典型的透明导电氧化物（Transparent conductive oxide,TCO）材料,具有同氧化铟锡（Indium tin oxide,ITO）相比拟的光电性能,......
纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能，已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一。不同纳米结构的Z......
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率，本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型，利用时域有限差分法对两种模型进行......
通过溶胶-凝胶法制备出不同形貌的ZnO纳米结构．详细研究了退火温度对ZnO纳米结构形貌的影响．结果表明退火温度对ZnO纳米结构的形貌有......
通过纯锌粉蒸发,在600-650 ℃无催化条件下成功制备了高质量的梳状ZnO纳米结构.通过扫描电镜(SEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)观察,所......
氧化锌纳米线作为当下研究的比较火热和普遍的一维半导体纳米材料,是一种至关重要的直接带隙半导体材料,具备非常优良的物理性质和......
ZnO作为一种宽禁带氧化物,是目前研究最为广泛的半导体材料,具有很好的光电、压电、铁电、热电等性能。随着纳米技术的发展,ZnO纳......
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石墨烯是碳原子组成的二维六角型呈蜂巢状的单原子层晶体,拥有优异的光电性能、机械性能、高的比表面积、较好的化学稳定性和独特......
氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤锌矿结构的金属氧化物半导体材料。作为一种宽带隙，低介电常数，高化学稳定性的多功能材料，其应用领域十分......
利用直流电化学沉积技术，在多孔氧化铝模板内，通过先沉积Zn（OH）2／ZnCO3，然后在300℃下进行热分解，制得了ZnO纳米点阵结构。扫描电镜结果表......
通过同一次热蒸发实验在三种完全不同的衬底上（石英,铜箔和单晶硅）制备了不同的Zn O纳米结构材料,采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,......
在介绍电池基本理论和共混结构、取向结构不同特点的基础上,综述了近年来这两种不同结构纳米ZnO/聚合物杂化太阳能电池的最新研究......
聚合物太阳能电池(PSCs)以其无污染、低成本、轻质、柔性及易大面积量产等优点成为当今新材料与新能源开发领域中最富活力的热点之......
氧化锌(ZnO)为一种宽带隙氧化物半导体,是极有前途的发光材料。本文基于简单的水溶液法,制备出了分散稳定、量子产率高达76%水溶性......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,是制备半导体发光器和半导体激光器的理......
本文采用射频磁控溅射的方法,在抛光的自支撑金刚石膜生长面生长ZnO薄膜。通过优化生长条件,成功地制备了高c轴取向、低应力的ZnO......
ZnO纳米结构以其优秀的电学、光学等物理性质、广泛的应用以及易于合成等特点而成为国际上半导体纳米材料研究领域的热点之一。尽......
ZnO作为一种直接带隙的宽禁带(室温下禁带宽度为3.37eV)半导体材料,有着高达60meV的激子束缚能,受到科学界的广泛关注。而其中尤以......
能源危机已成为人类面临的主要难题之一。人类目前所利用的能源主要是石油、天然气和煤炭等化石能源。这几种能源的储量在逐年减小......
氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料,具有六角形纤锌矿晶体结构,室温下的带隙宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV......
以GaN、SiC和ZnO为代表的宽带隙半导体材料,有望突破第一代半导体材料Si和Ge,以及以GaAs和InP为代表的第二代半导体材料在光电子技......
近年来，随着科学技术和电子工业的高速发展，使得电磁辐射污染成为一个日益严重的环境问题。而纳米科技的飞速发展为解决能源与环境危......
近年来，作为一种重要的半导体材料，ZnO纳米结构尤其是一维纳米结构材料引起了人们极大的研究兴趣。ZnO独特的物化性质，使ZnO纳米结构......
本工作分别采用热蒸发技术和螺旋波等离子体辅助射频溅射技术研究了一维ZnO纳米线和二维ZnO量子阱结构的制备过程。对一维ZnO纳米......
ZnO材料禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,远高于室温热离化能26meV。这些优异的性能使ZnO材料在短波长发光器件、透明导电电......
ZnO是第三代新型半导体材料，一种新型的II-VI族直接带隙半导体材料，因其特殊的光电特性而被誉为第三代光电子半导体材料，它在很多领域......
氧化锌(ZnO)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,为六角纤锌矿结构,晶格常数a = 0.3250 nm,c = 0.5206 nm。纳米ZnO具有优异的......
利用水热法制备出了新颖的ZnO纳米棒链，由ZnO哑铃状结构转化而来。研究了ZnO微米哑铃状结构和ZnO纳米棒链的场发射特性。场发射测试......
纳米环具有封闭的一维结构,其独特的几何结构、新颖的性能和特殊的应用受到广泛关注。作为简单的等离子体结构,纳米环在可见光和近......
