电学测量相关论文
为在集装箱码头开展节能检测，对集装箱码头中常用的岸桥进行电力测量。针对岸桥特有的工作状态，分不同的工作阶段对岸桥进行功率......
借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新......
亚微米 CMOS/ SOS器件发展对高质量的 1 0 0 - 2 0 0纳米厚度的薄层 SOS薄膜提出了更高的要求 .实验证实 :采用 CVD方法生长的原生......
电流表和电压表都是十分重要的电学测量仪器,自然成为中考的热点内容之一。在全面实施创新教育的近年来,我们拜读了数十份有关“表......
对激光二极管(LDs)在阈值处不连续的电学特性作了详细分析,结果发现,各电学参量的突变之间存在紧密的内在关联。由表观IdV/dI-I曲......
传统光刻工艺加工石墨烯沟道的方法中,石墨烯表面的光刻胶残留严重影响其电学特性,导致载流子迁移率大大降低.为了解决光刻胶残留......
随着电阻抗层析技术(EIT)广泛应用到当前各个领域中,本文提出利用EIT技术的非入侵、无损伤、结构简单等优点,将信号采集设备集成到......
计量学详细地描述测量的知识,叙述实际的测量,使实际测量通用化,并对被测现象的特点提供确切的了解。计量学包括计量的经典知识,......
在我们的日常生活中,弹簧形态各异,无处不在。弹簧秤、扩胸器、锁头里都有弹簧,这些弹簧叫做螺旋弹簧。口琴、手风琴里有铜制的簧......
电学测量实验,都是通过电表完成的,由于电表的分流和分压作用,造成了实验测量中的系统误差,如何尽可能的减小系统误差和消除系统误......
利用普通电学测量方法，通过不同加热率和保温温度测量了非晶态磁性材料的电阻率随温度变化情况，找到了非晶体磁性材料的晶化温度及其......
中国科学院上海微系统与信息技术研究所与上海科技大学、华中科技大学等单位合作,在国际上首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现......
电流表、电压表是我们最熟悉的电学测量仪表,在中考试题中,不仅对电流表、电压表连接、读数等正确使用进行考查,还将电流表或电压......
对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据......
在我们的日常生活中，弹簧形态各异，处处都在为我们服务.常见的弹簧是螺旋形的，叫螺旋弹簧.做力学实验用的弹簧测力计、扩胸器的弹簧等......
众所周知,物理是一门以实验为基础的学科。在初中物理教学中,利用自主导学开展实验不仅可以让学生获得知识的本源,还有效的培养学......
以ＰＣＬ８１４Ｂ１４位Ａ／Ｄ板为例，介绍了Ａ／Ｄ板编程的使用以及计量检定中为保证测量准确度所采取的方法。
Taking the PCL814B14-bit A / D board as an......
讨论了用于功率晶体管的热阻的理想概念。因为将热阻概念应用到器件上去时所作的两个基本的假设是无效的,所以使用热阻概念时要很......
早在六十五年前,就知道了化学沉淀PbS镜面状薄膜的方法。它是制备近红外PbS探测器的基础。为了获得高光导性的薄膜,在沉淀槽中通......
本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~+-PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为52......
我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率......
采用聚焦KrF准分子激光器(波长:249nm)照射SiH_4-O_2N_2混合气体实现了在Si衬底上SiO_2的淀积.在衬底温度为250℃时,淀积速率是300......
本文介绍生长碲镉汞(CMT)的一种新方法,它是通过有机金属气相外延(MOVPE)交替地生长出CdTe和HgTe薄层,并使之在生长温度下相互扩散......
InP and its alloys are of increasing interest due to their usefulness in microwave and optoelectronic devices. For the ......
本文介绍用有机高分子膜(LB膜和聚酰亚胺)代替n型InP肖特基势垒二极管中的薄氧化层,所得到的肖特基势垒二极管的势垒高度大于0.7eV......
包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测......
随着大规模集成电路、大功率器件、高灵敏探测器……的发展,人们对硅材料的质量提出了高要求.根据常规的电学测量方法,只能得到载......
用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理......
本文应用 X 射线电子能谱(XPS)、穆斯堡尔谱和电学测量研究~(57)Fe 注入氧化铝陶瓷的表面电性能和结构,及其热退火的影响.结果表明......
本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果......
硅片直接键合结构的界面电荷控制＝Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｃｈａｒｇｅｃｏｎｔｒｏｌｏｆｄｉｒｅｃｔｂｏｎｄｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ｂｅｎｇｔｓｓｏｎ，Ｓ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．－１９８９．６６（３）．－１２３１～１２３９采用...
Interface chargecontrolofdirectbondedsiliconstructures [], / Bengtsson, S......
ＧａＡｓ中Ｓｉ的定量分析是典型的ＳＩＭＳ分析课题，有明确的应用背景。文中对影响ＳＩＭＳ定量分析的一些基本因素进行了实验研究，用Ｏ２＋源和Ｃｓ＋源对均匀掺硅和离子注入......
本文介绍了一个在77-800K范围可变温度下进行离子注入和就地电学测量的靶室。该靶室曾为金属、硅化物以及某些超导材料的离子束混......
介绍了采用２０ＧＨｚ数字取样示波器在合肥８００ＭｅＶ电子储存环中测量束团长度的方法和原理。给出了束团长度及其伸长效应的测量结果。在流强为２—１２４ｍＡ情况......
随着近代水力试验研究的发展,一些古典的、机械式的、惯性大的量测方法已远不能满足试验研究工作的需要。为了探求各种复杂水力现......
倒相箱扬声器系统的低频特性与几个易于测量的系统参数直接相关。这一系统相当于四阶高通滤波器(每倍频程24dB截止),并可由调整参......
随着计算机的广泛应用和可穿戴电子设备的发展,将人机交互和可穿戴设备相结合逐渐成为研究热点,其中手势识别技术在人机交互领域扮......
利用电学测量的方法成功地测量了大功率晶体管的稳态热阻,并通过大量的测试摸索出了一套有效、可靠的测量稳态热阻的方法,测试数据......
一、概述实验应力分析方法种类很多,有机械方法测定,如用千分表,杠杆引伸仪等。光学方法测定,如用光测弹性力学;塗漆方法测定,电......
基于虚拟仪器技术实现了I-V曲线和微分电导的自动化测量系统。为了抑制噪声的影响,应用交流技术开发了有更高精度的锁相微分电导测......
