Β-FESI2相关论文
随着环境问题的日益严重和能源危机的不断加剧,寻找绿色新能源迫在眉睫。基于泽贝克效应和佩尔捷效应,热电材料可以直接实现电能与......
基于第一性原理赝势平面波方法，对稀土(Y、Ce)掺杂β-FeSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明，Y......
采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算，全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密......
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法，对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构，电子结构和光学性质进行了计算与分析。......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对不同Co含量的β-FeSiz的能带结构，态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较......
采用磁控溅射的方法在Si衬底上生长Fe/Si多层膜,退火后形成了硅化物薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)研究......
Fe-Si合金是一种非常有发展潜力的功能材料，原料来源丰富，价格低廉，使其具有很高的研究价值。其中β-FeSi2作为热电材料，在世界能源危......
采用第一性原理的赝势平面波方法对β-FeSi2掺杂稀土元素铒(Er)的光电特性进行了计算与分析.计算结果表明:Er掺杂后,β-FeSi2晶胞......
通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySm......
在氮气和氩气气氛中合成Fe1 9Cr0 1 Si5 0 1Cu ,对比 β FeSi2 和掺N的 β FeSi2 基热电材料 ,进行结构分析 ,密度测量和电学性......
综述了β-FeSi2热电材料晶体学和电子学的基本性质,介绍了通过掺杂和改变微观结构以改善β-FeSi2热电性能这两种常用方法,并指出其......
采用机械合金化结合氩气退火法成功制备了β-FeSi2热电材料,并用XRD、SEM对不同球磨时间后的Fe-Si粉体进行结构及形貌表征.试验结......
用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的-βFeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到-......
β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料,颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射......
采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄......
采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β ......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对C掺杂p-FeSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.几何结......
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSiz缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算．结果表明，Si......
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSiz缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算．结果表明，Si......
对β-FeSi2晶体进行了原位X射线衍射高压研究.利用同步辐射X射线衍射原位研究了β-FeSi2的高压相演化,发现压力在4.3 GPa时出现相......
用钛宝石飞秒激光器将最大峰值功率密度为1．14×10^13W／cm^2的激光作用在Bi4Ti3O12陶瓷靶、Cu靶，FeSi2合金靶上，研究产生等离子体......
综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展，讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-F......
综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展，讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-F......
采用机械合金化法成功制备β-FeSi2热电材料。用X射线衍射法分析球磨机转速、球磨时间、退火工艺对混合粉末合金化进程的影响,采用......
采用机械合金化法成功制备β-FeSi2热电材料。用X射线衍射法分析球磨机转速、球磨时间、退火工艺对混合粉末合金化进程的影响,采用......
详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性，以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用。目前，基于β-FeSi2薄膜的异质......
详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性，以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用。目前，基于β-FeSi2薄膜的异质......
以Fe33Si67（原子分数）为研究对象，采用机械合金化方法制备β-FeSi2热电材料。用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了球磨机转速、......
以Fe33Si67（原子分数）为研究对象，采用机械合金化方法制备β-FeSi2热电材料。用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了球磨机转速、......
研究了退火温度对分子束外延（MBE）方法生长的Si基β—FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响．结果表明，在900℃下退火的样品，虽然B-FeSi2......
研究了退火温度对分子束外延（MBE）方法生长的Si基β—FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响．结果表明，在900℃下退火的样品，虽然B-FeSi2......
文章采用赝势平面波方法对不同浓度稀土Y掺杂β-FeSi2的光电性质进行了计算和分析。研究发现：β-FeSi2中掺入Y后晶胞体积变大,并且......
采用飞秒脉冲激光沉积法在Si（100）和Si（111）单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射（XRD）,场扫描电镜（FESEM）,能谱仪（EDX）,傅立......
采用飞秒脉冲激光沉积法在Si（100）和Si（111）单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射（XRD）,场扫描电镜（FESEM）,能谱仪（EDX）,傅立......
介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法。评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面......
磁控溅射法沉积的Fe／Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm／Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h......
过渡金属硅化物β-FeSi2因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi2的发光机理，介绍了几种β-FeSi2......
β-FeSi2作为直接带隙半导体,具有较大的光吸收系数和较高的理论光(热)电转换效率,是一种理想的光(热)电材料。首先综述了目前β-F......
本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了研究.对掺杂C前后样品的对比研究表明,选择......
采用磁控溅射仪在高阻Si（100）衬底上沉积了[Fe（0．5nm）／Si（1．6nm）]啪和[Fe（1nm）／Si（3．2nm）]印多层膜，并在Ar气气氛下进行了1000℃，10s的快速热退火。......
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采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一......
采用机械合金化和热处理工艺成功制备了β-FeSi2样品,用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对样品的结构与形貌进行分析,探讨球磨时......
本文采用MEVVA源（Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source）离子注入合成半导体型β-FeSi2和β-Fe（C，Si）2薄膜，用常规透射电镜（TEM）、高分辨电镜......
采用MA(Mechanical Alloying)法进行β-FeSi2热电材料的合成研究.以Fe粉(Fe>98%),Si粉(Si>99.9%)为原料,将Fe、Si 元素粉末按原子......
讨论了热处理温度和保温时间对铁硅化合物相转变的影响。通过一系列的热处理试验总结铁硅化合物的相变规律,得出了制备β-FeSi2最......
本文利用高压、落管、离子束溅射等技术,研究了远离平衡条件下 Fe-Si 合金的结构演化及β-FeSi2相的形成。 研究了 Fe-66.7at.%Si ......
