x)Ge_x相关论文
提出了一种新型的、适用于１．３μｍ，１．５５μｍ的Ｓｉ和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光通信波长信号分离器，并对这种器件进行了分析，设计出了结构参数和电学参数。
A new type of Si......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能级杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷......
本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而......
系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si1-xGex 合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深......
Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱......
基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)......
The strained Si techique has been widely adopted in the high-speed and high-performance devices and circuits. Based on t......
利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模......
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变......
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,......
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)......
通过熔融反应法结合放电等离子体烧结技术,制备了Ge掺杂的系列样品YbZn2Sb2-xGex(0.0≤x≤0.4)。研究了从300~700 K温度区间的热电......
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子......
In this paper,the dispersion relationship is derived by using the k·p method with the help of the perturbation theory,a......
本文采用经验LCAO紧束缚方法,对晶格失配的Si和Ge所形成(Si)_(?)/(Si_(1-x)Ge_x)_(?)(100)(n=1～10)形变层超晶格进行了电子结构的计......
快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标......
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的......
