元胞结构相关论文
管路系统主要用来传递物质流或能量流，在工程领域发挥重要作用。管路内介质主要为流体介质，存在管壁结构振动和流体压力脉动。两者相......
随着SiC技术的发展,SiC功率器件性能的提升会像Si功率器件一样受到理论极限的制约。因此将打破Si限的超结结构应用到SiC器件中进一......
以旅行商问题为例,提出一种基于元胞结构的伪贪婪离散粒子群优化算法.为了体现粒子对环境的感知能力,设计了伪贪婪的粒子位置修改......
给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计，纵向上有效利用17ptm厚度的外延层，横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm^2，工艺......
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）自发明以来,为了尽快提高性能,实现产业化。科研工作者在IGBT结构上不断......
绝缘栅极双极晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）具有高输入阻抗，大电流能力，低通态压降等优点，其应用领域非常广泛。高压......
该文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A.高压大电流的NPT-IGBT。击穿电压达1 8......
提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种应用成熟、应用领域宽广的新型半导体功率器件。国外主要IGBT厂商的技术已经过了六代产品的更迭,......
由于近年来通信与自动化产业的发展也在不断地拉动对功率器件的需求,并且随着半导体制造技术的不断开发,功率器件的生产成本,性能......
针对经典Job-shop调度问题的局限性,构建了以加工成本、瓶颈机器负荷、机器总负荷及制造工期为目标函数的柔性作业车间调度多目标......
增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件。其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集......
