套刻相关论文
用计算机研究并给出了深蚀刻二元光学元件制作误差对衍射效率影响的规律；将深刻蚀二元光学元件与一般二元光学元件制作误差规律的不......
介绍了利用激光直接光刻技术制作８相位台阶菲涅尔衍射微透镜列阵的工艺方法，并对元件的衍射效率及光刻过程中的制作误差进行了分析，透......
发展了用于实现ＩＣＦ靶面均匀照明的大口径连续型位相元件设计的新方法，并且在工艺上进行了初步试制。等厚干涉图显示达到了预期的大口径......
介绍用于 0 .35μm投影光刻机的逐场调平技术 ,讨论其检测和控制原理 ,并作精度分析 ;讨论逐场调平对套刻精度的影响 ,并建立三轴......
提出了一种制作 12 8× 12 8球冠型GaAs凹折射微透镜阵列新的方法———曲率倒易法。扫描电子显微镜(SEM )显示微透镜阵列为表面轮......
基于国际半导体技术发展路线(ITRS)的预测,如果半导体工业不断提升其产品的复杂度和密集度,那么到2022年,量测技术将面临史无前例......
提出一种利用基于数字微反射镜装置（DMD）的数字光刻系统制作掩模版的方法。通过制图软件制作出二元光栅、菲涅耳波带片等衍射光学元......
提出一种基于线性模型的光刻投影物镜偏振像差补偿方法。根据Hopkins矢量部分相干成像理论,推导了投影物镜含有偏振像差时交替型相......
针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学......
从标量衍射理论出发，首先从理论上计算出多台阶二元光学元件发生深度误差时衍射效率的解析式；然后以4台阶和8台阶闪耀光栅为例，对二元......
根据标量衍射理论,提出了4阶二元光学元件制作误差对衍射效率影响的解析表达式,对此解析公式展开了讨论,并与计算机模拟结果进行了......
以下是美国《激光和光电子学》记者就准分子激光在半导体工业方面的应用采访麻省Leitz-Image Microsystem 公司市场和销售副总裁 ......
本文研究了将光致抗蚀剂衍射光学元件的连续沟槽蚀刻到基底层上的技术。实验分析了基底层沟槽与原版沟槽的形状和深度之间的关系。......
本文介绍了在提高砷化镓霍尔元件灵敏度、线性度及温度稳定性等方面所采取的改进措施;设计了新颖的图形,以降低元件的不等位电势及......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势.浸没式光刻技术同......
本文讨论了套刻误差的组成及误差模型的建立，并介绍了套刻误差的表示方法。套刻误差教学模型对于光刻机整机套刻精度的估计、对于光......
准LIGA加工工艺通常、能加工单层准三维体.本研究采用SU-8胶准LIGA技术,解决了多层套刻、种子层和表面活化等技术难题,加工出了三......
根据中国科学院电工研究所研制的DY-2000型实用化电子束曝光系统对曝光图形数据格式的要求及用户的需要,对原曝光文件格式(EDF)进......
随着先进封装技术的发展，对光刻的要求（CD均匀性、套刻精度等）将逐渐提高，当硅片尺寸逐渐增大到200mm（8英寸）乃至．300mm（12英寸）时，步进投影......
介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低......
随着光刻技术向10nm及以下工艺节点的延伸,光刻工艺对套刻精度提出了更高的要求,相应的对准精度的要求已经达到亚纳米量级。提出一......
电场诱导压印技术的关键在于能实现压印光刻胶的正向复形,对电场诱导模具的制备提出了较大的挑战。提出一种基于光刻、刻蚀和SU-8......
随着光刻技术向10nm及以下工艺节点延伸,光刻工艺对套刻精度提出了更高的要求,相应的对准精度要求已经达到亚纳米量级。本文提出一......
本文介绍了先进封装技术与先进封装光刻机，简述了先进封装投影光刻机系统的相关内容，并就先进封装投影光刻机性能进行了说明，指出根据......
集成电路工艺节点的持续缩小对光刻机的套刻精度提出了越来越高的要求,而掩模与硅片位置对准精度是保证套刻精度的关键。对于10nm......
随着半导体技术以及微纳工艺的蓬勃发展,二元光学器件把传统光学带入了微光学领域,实现了光、机、电、算微型仪器的高度集成,但同......
电子束曝光系统作为复杂半导体加工设备,需要功能强健的控制软件系统来保证其正常运行.介绍了具有自主版权的EB(electron beam)wri......
微悬浮结构因可以有效地避免与基底之间的相互影响及热传递，并增大与周围环境的接触面积，而在MEMS领域中拥有广泛的需求。在C-MEMS工......
介绍对亚微米分步重复投影光刻机光刻工作分辨力、套刻和生产能力三项主要技术指标的设计分析，方案考虑以及采取的技术措施。测试结......
