分辨率增强技术相关论文
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程，是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的......
多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的发展方向。提出了一种以光刻胶三维形貌差异为评价目标的光刻多参数联合优化方法。以多个深......
随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点,光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要......
提出了一种基于动态适应度函数的光刻机光源掩模优化方法(SMO)。动态适应度函数方法在遗传算法优化过程中采用动态适应度函数模拟......
近年来,随着人工智能的兴起,机器学习和稀疏表示被越来越多的应用于信号处理领域。受自然光学图像超分辨率技术的启发,本文尝试将......
提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率......
毫米波无源成像技术是利用目标与背景在毫米波段的辐射特征差异来实现成像的技术。相比于红外成像，由于毫米波段电磁波可以穿透云雾......
全芯片多参数联合优化是光刻分辨率增强技术的重要发展方向。提出了一种基于粒子群优化(PSO)算法的光源掩模投影物镜联合优化(SMPO......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了......
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的......
近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起1......
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一，双重图形技术（DPT）面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用，其中最突出的因素......
讨论了90／65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET／OPC为核心的可制造性设计。......
在现阶段深亚微米化的集成电路产业中，设计与制造已经出现日益严重的脱节，生产加工过程带来的重修正问题使得设计一生产周期大大加长......
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术，而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于po......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术......
当今半导体技术经历飞速的发展已进入到纳米级工艺时代。集成电路制造在低k1值的光刻工艺条件下,特别是对于65纳米以下的技术节点,......
EPSON公司作为一家专业生产打印机厂商,不断推出性能优良、功能齐全的打印机.在2003年10月,中国全印展上展出一台EPSON AculaserTM......
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶（CAR）以及分辨率......
当前,集成电路产业进入了以纳米工艺为代表的SOC(System On Chip)时代,工艺的特征尺寸越来越小,工艺的进步对设计方法学提出了新的......
掩模优化技术是一种推进光刻分辨率极限,扩展现有光刻机服役寿命的重要分辨率增强技术。基于像素表征的掩模优化方法在实际应用中......
随着半导体工业的图形化工艺进入100纳米以下的范畴,分辨率增强技术(RET),如光学临近修正(OPC),已成为补偿物理设计者的设计图形与......
<正> 过去,人们购买打印机时可能只想着怎样在针式打印机中选择价格较便宜的。也可能确实资金雄厚,可以挑选一台速度最快的,再配上......
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能......
介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光......
对于数字印刷的定义,业界普遍接受的是利用印前系统将图文信息直接通过网络传输到数字印刷机上印刷的一种新型印刷技术。目前数字......
随着芯片的集成度越来越高,特征尺寸越来越小,集成电路已经进入纳米级时代。这必将对集成电路的制造技术提出更高的要求。由于光源......
目前，浸没式氟化氩（Argon Fluoride，简称ArF）光刻技术是45nm及以下节点极大规模集成电路制造的主要手段。随着集成电路版图上特征尺寸（C......
近半个世纪以来,集成电路的发展一直按照摩尔定律给出的轨迹不断向前。然而,不断增大的芯片集成度和越来越小的特征尺寸要求,使得......
指导集成电路生产发展四十余年的摩尔定律并非物理定律,而是人类创造力的定律,不断发展的科学技术保证了它的持续有效性,尤其是集......
随着集成电路关键尺寸的进一步缩小,新一代极紫外(EUV)光刻系统的研制受到了相关领域研究人员的关注。EUV光刻技术很有可能取代当......
近十年来,随着半导体技术的不断进步,器件的功能也不断强大。然而随之而来的制造难度也与日俱增。为了便于半导体生产商突破制造技......
随着集成电路的工艺发展到超深亚微米阶段，集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光......
伴随着半导体集成电路生产工艺的不断改进，人们在设计和生产这两个集成电路产业关键环节所需要的投入的注意力越来越多。而设计步骤......
集成电路设计和制造已经发展进入超深亚微米阶段,从0.18um技术节点开始,半导体制造工艺中广泛采用了亚波长光刻技术。当集成电路的......
半导体制造工艺从0.18μm技术节点开始,“亚波长光刻”技术被广泛采用。在亚波长光刻下,由于掩模制造、光刻和蚀刻过程中光的衍射......
当集成电路的特征尺寸接近曝光系统的理论分辨率极限时,在硅圆片表面制造出来的图形相对于电路版图会有明显的畸变,这种现象通常称......
提出了一种基于粒子群优化算法的光刻机光源优化方法。将光源信息编码为粒子,利用图形误差作为评价函数,通过更新粒子的速度与位置......
