低压化学气相沉积相关论文
利用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺,采用Zr-Br2-C3H6-H2-Ar反应体系,在1200℃下,于石墨基底表面制备了ZrC涂层。研究了气体流量对ZrC......
我们成功开发了钙钛矿薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD)制备方法.在低压条件下,通过温和的气相-固相(G-S)反应,有效解决了无机薄膜Pb......
通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试，发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级......
石墨烯具有优异的电学、光学性能,这使得其在光电器件方面有很大的应用潜力,有必要对化学气相沉积法制备石墨烯薄膜和大面积单晶进......
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800℃)对碳纳米管薄膜形貌、结构......
ZnO是一种N型宽带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,有优异的压电、光电、压敏等特性,且电导率和透过率高,具有和ITO相......
石墨烯由于其优异的化学、物理性能,成为了21世纪材料界和科学界最耀眼的一颗新星,其制备方法很多,其中CVD法以其简单的工艺,低价......
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生......
低压下利用四异丙醇钛水解法制备了 Ti O2 薄膜 ,将 Ti O2 固定化并尽可能保留其尺寸效应 .联系制膜条件和膜的表性 ,研究了 Ti O2......
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.......
通过冷态输送ZrCl4粉末,利用低压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备ZrC涂层。采用X射线衍射和扫描电镜研究沉积温度和沉积位置......
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实......
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度......
概述了传统还原铅硅酸盐玻璃微通道板（RLSG-MCP）及其特点以及MCP的新发展；介绍了材料的二次发射特性，给出了传统MCP薄膜连续打拿极结构......
利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光（PL）谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表......
比较研究了金刚石附氢（111）、（110）和（100）面脱氢势垒的理论和实验值，揭示了气相一表面附氢间的排斥作用是决定势垒大小的主要因素，并讨论......
金刚石膜是最近世界上研究最广泛的材料之一.在本文中,简要介绍了低压化学气相沉积金刚石薄膜的合成技术及高取向生长,并对存在的......
研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能......
文中介绍了CVD工艺的种类和特点。以LPVCD为例,介绍了其工艺的基本原理,以及设备的基本结构。根据多年的设备维护经验,分析了LPCVD......
采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散SiO2微球组装形成三维有序胶体晶体模板．用低压化学气相沉积法填充高折射率材料锗。酸洗去除SiO2......
用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体模板，用低压化学气相沉积法填充高折射率材料硅，酸洗去除SiO2模板，获得了......
以BCl3和C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源，采用热壁化学气相沉积炉，于1100℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄......
在玻璃衬底上采用低压化学气相沉积法制备了B掺杂的ZnO薄膜，研究了真空气氛和氢气气氛下不同退火温度对ZnO：B（BZO）薄膜电学性能和光学......
用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能.对符合弹性验则的微桥进行测试,在考虑衬底变形的基础上,利用最小二乘法对其载荷-......
SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用，其不仅能够提升器件的反向击穿电压，而且也极大地提......
利用现场水汽生成（in—situ steam generation，ISSG）退火这种新型的低压快速氧化热退火技术，在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补......
利用低压化学气相沉积技术,以BCl_3-C_3H_6-H_2为反应气体制备了不同掺硼量的热解碳薄膜B_xC_（1–x）（x=0.05,0.10,0.16,0.30,0.50）,并......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
针对纳米材料生产的高能耗、低生产率的特点,用生命周期评价（LCA）方法对纳米TiO_2薄膜生产过程进行了环境影响评价,并通过设置不同的......
基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点。结果......
通过溶剂蒸发对流自组装法制备SiO2胶体晶体,采用低压化学气相沉积法填充Si,制备得到Si反蛋白石(opal)三维光子晶体.采用扫描电子......
利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同......
采用低压化学气相沉积(CVD)技术在MgO载体中的Fe、Co等纳米催化颗粒上制备碳纳米管(CNTs),用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及喇曼光......
利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得......
文章利用低压化学气相沉积法（LPCVD），在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌......
自1991年,日本科学家Iijima发现了多壁碳纳米管（MWNTs）之后,碳纳米管因为其独特的结构,机械性质和电学性质引起了各界人士极大的兴趣......
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非......
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜......
通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的......
火工品是一种小型敏感元件，它能用很小的能量发火，从而引发爆炸或燃烧。火工品历史悠久，种类繁多。近年来，火工品开始采用新技术、新材......
化学气相沉积法制备六方氮化硼原子层薄膜一直是研究的热点和难点,薄膜结晶质量会直接影响到石墨烯晶体管中石墨烯电子迁移率的高......
采用低压化学气相沉积（LPCVD）在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明......
采用低压化学气相沉积法在6H—SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜，利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析，研究了SiCGe薄......
二硫化钨（WS2）作为过渡金属硫化物（TMDCs）中的代表之一,因其拥有优良的电学、光学和光催化等特性被人们广泛的关注与研究。单层WS2继承......
