电阻材料相关论文
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
电是现代文明之源,人类对电能的需求与日俱增.输电线通常使用铝线和铜线,由于电阻的存在,因而损耗大量的电能,且因电阻发热,也使导......
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ＭＲｕＯ３系电阻薄膜是高热稳定的电阻薄膜材料。本文介绍用高频反应溅射制备ＢａＲｕＯ３电阻薄膜技术。并用电镜、ｘ－射线衍射仪、多功能电子能谱仪观察测......
埋置无源元件的市场需求不断增加,本文介绍了一种生产高阻值埋置电阻材料的方法燃烧化学蒸汽沉积法(CCVD).......
<正> 贵金属除O3以外的七种元素均被作为厚膜材料使用着,这主要是因其化学与物理性质特别稳定,以及它们具有良好导电性能等特点。......
通过对烧成制度的优化研究,得到了含Pr6O11掺杂的ZnO压敏电阻材料的最佳烧成制度,分别为:烧成温度1200℃、升温速率3℃/min、保温......
半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂,在器件中,电阻率会影响电容、......
对缓变型线性ＰＴＣ热敏电阻材料的研制提供了实验数据，在其线性化机理等方面进行了探讨，并在配方、工艺对其性能影响等方面进行了研究。......
通过采用TEM分析技术对2个脆化程度不同的部分纳米晶化Ni78Si1oB12非晶合金的研究,考察了析出晶化相的种类,大小,形状,数量与分布......
钯钨合金具有高的电阻率、低的电阻温度系数和对铜热电势、稳定的接触电阻,以及良好的耐磨性和抗腐蚀性,常用作精密电位计和电位器......
激光调阻对Ni-Cr电阻器无明显影响。对Cr-SiO及厚膜电阻的稳定性影响较大,500h后阻值漂移千分之二到百分之几十,这显然与电阻膜成......
<正> 目前,电子设备的集成电路化在广范围内取得了发展,而技术上此较困难的集成化发展较迟的大输出功率电路已成了研究的焦点。随......
<正> 1 前言 据电子电路行业业界工程技术人员统计,在集成电路设计时,分离元器件当中,电阻约占30％,电容约占40％,而其它元器件总共只......
<正> 前言 随着电子产品技术的发展,线路板制造中的新技术也不断出现,如:积成式多层印制线路板(Build-UP Multiplayer Board)、导......
锰铜电阻及其稳定性在电阻材料中，锰钢应用最广，以很多优点而被广泛用于各种仪器仪表中作为中、低阻值的电阻元件，特别是精密电阻元件......
<正> 一般电阻材料,如康铜,镍铬等的电阻随温度变化特性接近于一条直线,如图1所示。其纵座标为电阻值 R,横座标为温度T。这种特性......
介绍了一种测量脉冲电流小于40kA、结构紧凑的同轴分流器,经定标其方波上升时间为3ns、动态电阻为2.8mΩ,分流器已用于测量大功率......
