薄膜电阻相关论文
钽氮化合物薄膜材料具有电阻温度系数小、化学稳定性高、功率耐受性好和阻值可调范围大等优点，是高性能电阻薄膜的优选材料。本文综......
设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构，规避了高分辨率二进制电流......
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
增益均衡器用来调整行波管或者高功率固态功放的输出功率.传统上,微波增益均衡器采用贴片电阻,寄生参量大,设计结果精确度不高;毫......
目前激光直写膜电阻时,所加入的辅料容易造成杂质污染,膜的厚度和粗糙度难以降低。为减少杂质污染,降低膜厚和表面粗糙度,改善激光......
针对太阳辐照度测量仪器高性能及微型化的要求,研究了一种绝对辐射计的关键器件———微机电系统(MEMS)微型红外辐射探测芯片。该......
1.前言交流电压的测量,没有如直流(DC)电压标准那样的参考源。为了精确测量交流电压和电流,采用热电压变换器是很必要的。本文描......
1.前言在诸如激光处理、光学存储器件、摩擦热或燃烧室的热性能研究的许多技术领域,测量表面温度的变化是至关重要的。为了获得快......
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
一、电子系统抗辐射加固措施 1.选择合适的器件 随着抗辐射加固技术的深入研究,发现择合适的器件从线路上采取加固措施是极重要的......
针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体......
3月20～23日在纽约举行的美国电气与电子工程师协会的国际会议上,关于激光方面的论文强调了诸如电阻微调、计算机储存器和显示等日......
本文对溅射法制作CrSi薄膜电阻工艺技术进行了研究。文章介绍了使用直流磁控反应溅射工艺攻克该难题的方法,即通过对影响电阻结构......
本论文探索了薄膜敏感元件叉指结构电极间薄膜分布电阻的计算方法,为电阻型敏感元件的设计提供理论上的指导。叉指电极间电阻的计......
很多具有重要应用背景的MEMS器件加工时都需要进行真空封装。但真空封装工艺、真空保持性、内部真空度测试等关键问题一直未得到真......
该文采用VO粉末靶离子束溅射,金属钒离子束反应溅射和金融钒离子束溅射三种方法制备了氧化钒材料,通过不同条件下的退火实验.研究......
风速在煤矿安全生产当中是一项非常重要的信息指标,煤矿井下作业环境复杂,混合着各种可燃性、有毒性气体和粉尘颗粒。保持巷道通风......
本文采用实时测量方法,测量了铜薄膜导电时的电阻.利用监测电阻状态可制作极薄的膜材.与接近块状薄膜相比较,导电性能有所不同.测......
针对风动压检测,提出一种基于薄膜电阻检测风动压的方法。根据热平衡方程将薄膜电阻阻值转换成空气流速,风动压可通过伯努利方程转......
在采用磁控溅射方法制作用于集成电路的镍铬薄膜电阻过程中,发现在对薄膜热处理日寸薄膜的电阻特性发生了有规律的变化,这种变化不......
电子电路中的电源意外可分成两大类:过流风险和过压风险有.过流情况通常是由过载或短路引起的,而过压情况通常是由闪电或切换感性......
利用溶胶-凝胶法配制了SnO2前驱溶液墨水,采用喷墨打印技术在金叉指氧化铝基片上制备了不同打印次数的SnO2气敏薄膜元件,通过XRD,S......
用金属有机物化学气相淀积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）制备了TiN薄膜，通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜......
摘要：可提高焊点在高工作温度下可靠性的无铅合金非常适用于汽车电子或特殊应用。薄膜电阻的端接和结构采用了一些最新的增强技术，使......
研制成功一种应用于高速光纤通信系统的激光器／激光调制器驱动集成电路。该电路采用具有薄膜电阻、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容......
随着电子产品技术的发展,无源器件集成技术与聚四氟乙烯(PTFE)材料在多层印制电路板制造中扮演着越为重要的角色。论文在无源器件......
提出了一种新型低成本硅基过渡热沉，用以实现高达40Gb／s的高速光电子器件封装．采用高阻硅衬底作为热沉基底，制作出了0-40GHz范围内传输......
TaN和NiCr是Al GaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可......
本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面......
设计了自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试.该仪器适用于开展薄膜物性与电......
薄膜电阻是电位器式角位移传感器的核心构件，直接影响传感器的输出性能，高精度角位移传感器的薄膜电阻需要进行精密的修刻，激光修刻机......
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析.研究表明......
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电......
模拟衰减器在微波电路中应用十分广泛.本文设计了一种用薄膜电阻实现的宽带衰减器,结构简单,工艺上易于实现,在6GHz-18GHz频带范围......
分别对修饰的和未修饰的多壁碳纳米管（MWCNTs）薄膜的湿敏特性进行了研究，发现修饰的多壁碳纳米管（MWCNTs）薄膜对湿度十分敏感。测量其湿......
采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO......
基于图像识别技术的薄膜电阻自动测试设备结构组成及工作原理。系统的应用,提升了测试效率,减轻了劳动强度,达到了设计目标。......
针对传统微波增益均衡器所存在的缺陷,提出了一种基于基片集成波导（SIW）的新型毫米波微波增益均衡器。该均衡器采用多层SIW,可以很方......
研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因．通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测，认为夹杂物是产生裂......
通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄......
分析了常见的电子产品或设备和电子元器件的ESD静电放电模拟测试标准,将二者进行了对比,并提出了测试印制电路板中隐埋薄膜电阻的E......
利用中频对靶磁控溅射技术,分别制备出厚度低于5μm、表面光滑的TiO2、ZrO2、Al2O33种功能薄膜。研究了不同工艺条件下薄膜的成膜......
目的研究氮化钛薄膜的部分物理特性及真空中的电子发射特性,验证氮化钛薄膜具有相对较好的电导特性及较低的电子发射系数,证明氮化......
介绍基于RC^[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法，并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式。利用LPCVD方式制作多......
在采用磁控溅射方法制作用于集成电路的镍铬薄膜电阻过程中，发现在对薄膜热处理时薄膜的电阻特性发生了有规律的变化，这种变化不是单......
在利用磁控溅射方法制作用于ＩＣ的镍铬薄膜电阻过程中，发现在对薄膜热处理时薄膜的电阻特性发生了有规律的变化，这种变化不是单纯的线性......
