第三代半导体材料相关论文
随着现代材料科技的创新发展，半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料，发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，推......
作为第三代半导体材料，GaN具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点，因此，基于GaN基的器件在高温、大电压、大功率应......
SiC作为第三代半导体材料,有着许多优良的特性,因此它是目前研究的热点之一。其具有优良的热稳定性、化学稳定性和较高电子迁移速......
精彩回放:打破以往项目只接受省内单位申报的单一局面、采用揭榜方式制加快攻克技术瓶颈..2018年10月15日,广东省科学技术厅在京举......
<正>进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后,有两位......
国内照明市场需求的上扬为LED照明的创新应用提供了更多空间，整个LED产业呈现出迅猛发展的之势。半导体照明是照明光源又一次成功的......
氮化镓（GaN）是一种III／V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光......
继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（A1N）为代表的第三......
<正>半导体技术在不断提升,端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。寻找硅(Si)以外新一代的半导体材料也随之变......
<正>为保障自主可控,亟需加快突破第三代半导体高端原材料和装备瓶颈,助力我国半导体产业实现"弯道超车"近年来,以氮化镓、碳化硅......
第三代半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等多项优越性能,是支撑信息、能源、交通、国防等重点领域升......
近期,多家公司发布了碳化硅(SiC)方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一,碳化硅具备哪些优势,现在的发展程度如何?不久前,......
随着功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展,传统的硅基功率半导体器件及其材料越来越接近物理极限,再往下发展的空间很有限。因......
当前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料市场增长迅速。而在SiC领域的Know-How,日本老牌半导体企业——ROHM半导体集团(以下称“......
<正>中国科技部高新技术发展及产业化司司长赵玉海在第三代半导体产业技术创新战略联盟成立大会上强调,应加强第三代半导体产业的......
<正>半导体芯片被称为"现代工业的粮食",是物联网、大数据、云计算等新一代信息产业的基石,其对于下游5G通讯、人工智能、大数据、......
半导体照明亦称固态照明（SSL），包括发光二极管（LED）和有机发光二极管（OLED），是用第三代半导体材料制作的光源和显示器件，具有耗电量少、无污......
<正>以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料在半导体照明、新型激光显示、高速移动通信等诸多领域有着重要应用。本文在对Ⅲ族氮化......
ZnO是一种独特的第三代半导体材料。近年来,ZnO薄膜和纳米材料以及三元ZnO基材料得到广泛研究和发展。ZnO基紫外探测器由于其优异......
<正>第三代半导体走向前台从21世纪开始,智能手机、新能源汽车、机器人等新兴的电子科技发展迅速,同时全球能源和环境危机突出,能......
<正>作为近年来迅速发展起来的以碳化硅、氮化镓为代表的先进半导体材料,第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高......
<正>科技部印发《"十三五"材料领域科技创新专项规划》(以下简称《规划》),明确"十三五"时期材料领域科技创新的思路目标、任务布......
<正>北京大学东莞光电研究院(以下简称北大光电院)是北京大学与东莞市人民政府共同组建的新型研发机构,它于2012年8月正式成立,是......
<正>氮化镓(Ga N)是被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代Ga As、In P化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。由于Ga N材料......
<正>以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,被广泛应用在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽......
随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电......
'第三代半导体材料?是收音机吗?'提到半导体或第三代半导体材料,这是大多数人的第一反应。穿上隔离服,戴上头套、口罩,让......
<正>上期本刊对广深科技创新走廊规划的建设工作从构建"一廊十核多节点"的空间格局、聚集高层次创新型人才、集聚国内外先进科技成......
<正>目前全球40%能量作为电能被消耗,而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国,如何在功率电子方面减小能......
<正>【本刊讯】863计划先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题近日通过了技术验收。通常,国际上把......
<正>以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等宽禁带为代表的第三代半导体材料,相较前两代产品,性能优势显著并受到业内的广泛......
<正> 以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,用这些材料制成的器......
半导体的重要性有多大?人类文明进步的脚步可以跟随人类使用器具的材料发展来看,从远古的石器时代、铜器时代到铁器时代,直至现代......
最近 ,深圳方大集团股份有限公司与中科院半导体研究所、南昌大学和深圳大学分别签署了第三代半导体材料及器件科研成果产业化协议......
以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料由于其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度高等特性,在光电子......
20多年前,我国第三代半导体材料研发起步。经过多年的发展,第三代半导体材料在光电子器件、电力电子器件和射频器件领域均获得了巨......
