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云南普朗超大型斑岩铜金矿床（储量446.8 Mt,0.52%Cu,0.18 g/t Au）位于我国西南三江特提斯构造域义敦弧南部的中甸弧内。空间上,矿区......
氧化物薄膜晶体管（TFT）由于其超低关断电流、较高场效应迁移率、均匀性好等优势而在大面积、透明、柔性及节能显示领域备受关注。目......
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Me......
采用原子层沉积技术(ALD)制备了Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜(Hf-Nd-O),通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的成分、 结合......
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为......
本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究，并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol％的BaTiO3填料的工艺。......
随着纳米器件的进一步微缩，Hf基高k材料已无法满足其发展需求，需要引入新的高k材料．为了减小纳米器件的等效氧化层厚度（EOT），向HfO2中掺......
通过不同气体（NO、N2O、NH3）对Ge衬底进行表面预处理，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜，制备HfTiO/GeOxNy叠层......
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳......
采用Schroedinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流，该模型对栅电流中的三维电流成分用行波......
在鼻咽部肿瘤的X线检查中,常规采用颅底平片,鼻咽部普通KV侧位子片及鼻咽部软组织侧位摄影等,都对诊断鼻咽部病变有一定的价值,但......
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的......
不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄，从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加，这制约了MOSFET性能......
在室温下，采用射频磁控溅射法在P型Si（111）衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱（XPS）分析了HfSiON薄膜的成分，用掠入射X......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型，该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介质......
不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄,从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加,这制约了MOSFET性......
本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况。介绍了Ta2O5高k薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展。电学性能是今......
随着CMOS集成电路的快速发展,器件的特征尺寸已进入了纳米量级。一方面,传统SiO2栅介质厚度的减小会导致很高的隧穿电流,阻碍其的......
基于对常规VDMOS、超结Super Junction和高K材料的研究，研究了新型的高K介质槽功率MOSFET，旨在优化VDMOS的击穿电压与比导通电阻等性......
高K栅GaAs MOSFET器件结合了GaAs材料高电子迁移率和高K栅介质低漏电的优势,有望成为未来延续摩尔定律的新方向。但是高K/GaAs界面......
超结理论的提出,打破了功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)中的“硅极限”,建立了功率器件的里程碑,但电荷平衡问题一直......
