化学束外延相关论文
王占国男,1938年12月出生,河南镇平人。半导体材料和材料物理学家,中科院半导体所研究员,中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系......
化学束外延(CBE)是外延生长技术最新的发展。它综合了分子束外延(MBE)和有机金属化学气相沉积(MOCVD)的许多主要优点。自从1984年......
有机金属化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE),已是两个成熟的制备高质量薄膜的技术。出于更高的技术要求,美国 AT & T 贝尔实......
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE......
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓......
概述了目前半导体材料研究最有代表性的超薄层微结构材料的新进展。由于MBE、MOCVD和CBE等先进材料生长设备的创立和完善,大大促进......
本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合......
垂直腔面发射激光器需要外延层的总厚度达10μm,因此需要较高的生长速率并且不能降低晶体质量。这里介绍的适用于Ⅲ—Ⅴ化合物半导......
本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术--化学束外延(CBE),通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这......
化学束外延(CBE)是半导体超薄层材料生长技术的最新发展,它兼有MBE和MOCVD两者的优点。我们研制出了CBE设备。本文给出了CBE设备的......
化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术．本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上，介绍了化......
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难......
本文介绍了化学束外延(CBE)的发明和发展,论述了CBE的原理和设备。文中还介绍了最近提出的一种生长机理。......
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE......
化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了......
化学速外延(CBE)是近三,四年才发展起来的一种新的外延生长技术,本文较系统地评述了CBE的研究现状,并在把CBE技术与MOCVD和MBE技术......
