电场调制相关论文
基于Pockels效应原理，分别对交直流混合强电场传感器中的电光传感单元和电场调制机构进行了设计与测试。对电光传感单元结构进行合......
氮化镓（GaN）因具有宽禁带、高临界击穿电场以及高电子饱和速度等特点被学术界以及产业界广泛地研究,基于GaN材料新型功率HEMT器件也......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor,LDMOS）作......
本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜.在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对......
近年来,磁电异质结构中电场对磁性及其相关物理特性的调制研究得到了人们的广泛关注[1-3].本文选择具有丰富物理特性的La2/3(Ca0.6......
匈牙利科学院的研究人员将光电导体与隧道结构相结合，用光控制毛细孔中的流动速度。在微流系统中，这是探索电渗流概念的理想技术，可以......
报道了电场调制下的MEH-PPV光波导放大的自发辐射.我们设计制备结构为ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al多层光波导.在脉冲激光激发下,MEH-......
为了优化传统AlGaN/GaN high electron mobility transistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN/Ga......
多铁性材料是一类含有两种或两种以上铁性的多功能材料,具有丰富的物理现象和广泛的应用前景。本论文从实验上制备得到掺杂钙钛矿......
多铁性材料是集铁电性、铁磁性、铁弹性三种铁性中的两种或两种以上特性的一类多功能材料。近几年人们广泛研究具有铁磁和铁电特性......
本文主要从电场调制下激子斯塔克(Stark)效应和辐射复合寿命，电场调制下激子波函数的时间演化，电场调制下激子局域化动力学等方面介......
全固态高功率激光系统是实现惯性约束聚变的重要途径，为获得更高的功率输出与良好的光束质量控制，需要大量关键激光元器件（诸如透镜、......
二十一世纪将是材料一电子一体化的世纪。用一种新型功能材料或将几种新型功能材料复合形成异质结制作出具有特定功能的微电子器件......
提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善......
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......
采用微扰理论，考虑外场引起激子态的混合和偶极算子的改变，推导出了电场调制光吸收（ＥＡ）谱△α（ω）的的普遍公式；对聚丁二炔（Ｐｏｌｙｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｅｓ）（ＰＤＡ’ｓ）中△α（ω）谱在ω......
利用紫外一可见反射吸收光语对不同粒径Yb203纳米晶进行了光吸收特性的研究，对其在300nm一500nm的宽带吸收指认为02p→Yb4f电荷转移......
针对SOI基LDMOS结构的特殊性，结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关系，以作者设计的几种新型横向高压器件为例，说明了利用电场......
采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。使FeCoSi磁性薄膜初始易磁化方向（称为初始易轴......
Effect of Qing＇e Formula on Circulating Sclerostin Levels in Patients with Postmenopausal Osteoporos
Serum sclerostin is positively associated with serum 25 hydroxyvitamin D concentration. Our preliminary studies confirme......
从掺杂PPQ薄膜单层器件的电致发光光谱在掺杂前后的变化,说明掺杂PPQ薄膜中存在着基质分子和掺杂分子间的能量传递,其电致发光光谱......
电场处理水已广泛应用于生产实践中，影响电场处理水研究的一个重要因素是难以观察处理后的细微变化，笔者通过实验表明，观察水及水溶近......
<正> 表面光电压谱(SPS)及其应用已有报道。我们将场效应原理与表面光伏技术相结合,创立了场调制表面光电压谱(FMSPS)。本文主要介......
采用脉冲激光沉积法制备Ni/PMN-PT复合磁电薄膜。对样品的结构、磁性和磁电效应测量表明,样品表现出明显的电场调制磁性效应,而且......
研究了基于硅烯的静电势超晶格、铁磁超晶格、反铁磁超晶格中谷极化、自旋极化以及赝自旋极化的输运性质,分析了铁磁交换场、反铁......
提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构，并解释了该结构的场调制耐压机理，通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性，优化了阶......
利用地下卤水配制河蟹育苗用的海水；葡萄糖酸稀土配合物鱼饵料添加剂；含有微交变生物电场调制的酵母菌的虾饲料；一种翘嘴红鲌的人工繁......
近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格......
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有......
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一......
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调......
共轭聚合物材料具有荧光量子效率高、受激发射截面大、吸收光谱与发射光谱交叠区小、制备工艺简单等特点,是非常理想的激光增益介......
功率集成电路要求功率器件具有高功率、高速、低功耗和易集成的特点,横向功率器件作为功率集成电路的核心成为了研究的热点之一,其......
磁电多铁性材料是一类应用广泛的功能性材料,由于其在传感器、集成电路、高密度信息存储以及磁电子学等方面的潜在应用引起了人们......
铌酸锂晶体具有优良的电光、非线性光学、双折射、声光、光折变等物理特性,已经成为光学领域非常受欢迎和研究的热门材料之一。电......
垂直双扩散金属氧化物半导体(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,VDMOS)器件是一种重要的功率半导体器件,因其......
简要阐述调制光谱方法、重点是光调制反射光谱的基本原理。讨论电场调制反射光谱和光调制反射光谱在半导体混晶、离子轰击-激光退......
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）是高压集成电路HVIC（High Voltage Integrated Circuit）和功率集成电路PIC（Power Integrate......
随着技术的不断发展,人们对电子器件的小型化提出了更高的要求,集多种功能特性于一身的多铁性材料引起了人们的研究兴趣。单相多铁......
摘要：聚合物激光是近年来有机光电子学领域的一个热门的研究方向。由于聚合物有着加工工艺简单,驱动电压低,发光效率高,发光光谱宽......
